[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

第一绝缘膜，形成在所述半导体衬底的主表面之上，并且包含硅和氧；

第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜之上；

第一开口部，穿通所述第二绝缘膜，并且到达所述第一绝缘膜；

第二开口部，穿通所述第一绝缘膜的从所述第一开口部暴露出来的部分，并且到达所述半导体衬底；

沟槽部，形成在所述半导体衬底的从所述第二开口部暴露出来的部分中；以及

第三绝缘膜，形成在所述沟槽部中、在所述第二开口部中、以及在所述第一开口部中，

其中所述第二绝缘膜的材料与所述第一绝缘膜的材料不同，

其中所述第一开口部的第一开口宽度以及所述第二开口部的第二开口宽度中的每一个均大于所述沟槽部的沟槽宽度，以及

所述沟槽部由所述第三绝缘膜封闭，同时在所述沟槽部中留出空间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二开口部的所述第二开口宽度等于所述第一开口部的所述第一开口宽度、或者大于所述第一开口部的所述第一开口宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包括：

第四绝缘膜，形成在所述第二绝缘膜之上，并且包含硅和氧；以及

第三开口部，穿通所述第四绝缘膜，并且到达所述第二绝缘膜，

其中所述第一开口部穿通所述第二绝缘膜的从所述第三开口部暴露出来的部分，并且到达所述第一绝缘膜，

其中所述第二绝缘膜的材料与所述第四绝缘膜的材料不同，

其中所述第三开口部的所述第三开口宽度等于所述第一开口部的所述第一开口宽度、或者大于所述第一开口部的所述第一开口宽度，以及

其中所述第三绝缘膜位于所述第三开口部中。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述沟槽部、所述第二开口部、所述第一开口部和所述第三开口部由所述第三绝缘膜封闭，同时在所述沟槽部中、在所述第二开口部中、在所述第一开口部中、以及在所述第三开口部中，留出所述空间，以及

其中所述空间的上端的高度位置低于所述第四绝缘膜的上表面的高度位置。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述沟槽部和所述第二开口部由所述第三绝缘膜封闭，同时在所述沟槽部中、以及在所述第二开口部中，留出所述空间，以及

其中所述空间的上端的高度位置低于所述第二绝缘膜的下表面的高度位置。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二绝缘膜包含硅和氮。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述第一绝缘膜具有氧化硅膜，并且所述第二绝缘膜具有氮化硅膜或者氮氧化硅膜。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中由含氢氟酸的蚀刻剂对所述第二绝缘膜的蚀刻速率小于由所述蚀刻剂对所述第一绝缘膜的蚀刻速率。

9.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述第一绝缘膜形成在所述半导体衬底的所述主表面之上、在所述半导体衬底的所述主表面的第一区域中，以及

其中所述半导体器件进一步包括：

半导体元件，形成在所述半导体衬底的所述主表面之上、在所述半导体衬底的所述主表面的第二区域中，并且包括导体部；

第五绝缘膜，形成在与所述第二绝缘膜所在层相同的层中，形成为在所述第二区域中覆盖所述半导体元件；

第六绝缘膜，形成在所述第五绝缘膜之上、与所述第四绝缘膜相同层，并且含有硅和氧；

孔部，穿通所述第六绝缘膜和所述第五绝缘膜，并且到达所述半导体元件的所述导体部；以及

耦合电极，形成为用于填充所述孔部并且电耦合至所述导体部。