[发明专利]可作为电子开关操作的电子电路在审
| 申请号: | 201510172117.2 | 申请日: | 2015-02-27 |
| 公开(公告)号: | CN104883170A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
| 发明(设计)人: | F·希尔勒;A·毛德;J·维耶斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蒋骏;徐红燕 |
| 地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 作为 电子 开关 操作 电子电路 | ||
1.一种电子电路,包括:
被配置成接收输入电压的输入节点,和在第一负载节点和第二负载节点之间的负载路径;
第一晶体管器件,和n个第二晶体管器件,其中n≥1,其中第一晶体管器件和n个第二晶体管器件的负载路径串联连接,从而形成电子电路的负载路径,
其中第一晶体管器件和n个第二晶体管器件中的每一个都具有耦合至电子电路的输入节点的驱动节点,并且
其中n个第二晶体管器件中的每一个都具有耦合至电子电路的负载路径的驱动节点。
2.如权利要求1所述的电子电路,其中第一晶体管器件和n个第二晶体管器件中的每一个都是常断晶体管器件。
3.如权利要求2所述的电子电路,其中第一晶体管器件和n个第二晶体管器件中的每一个都是MOSFET和IGBT中的一个。
4.如权利要求1所述的电子电路,其中n个第二晶体管器件中的每一个都具有驱动节点,其耦合至远离其自身负载路径的电子电路的负载路径的电路节点。
5.如权利要求1所述的电子电路,
其中第一晶体管器件和n个第二晶体管器件中的每一个都具有耦合至电子电路的输入节点的驱动节点,使得在电子电路导通状态下,第一晶体管器件和n个第二晶体管器件中的每一个都接收基于输入电压的驱动电压。
6.如权利要求1所述的电子电路,
其中,n个第二晶体管器件中的每一个都具有经由整流器元件耦合至电子电路的输入节点的驱动节点,并且
其中n个第二晶体管器件中的每一个都具有经由电压限制元件耦合至电子电路的负载路径的驱动节点。
7.如权利要求6所述的电子电路,
其中整流器元件包括双极型二极管和齐纳二极管中的一个。
8.如权利要求6所述的电子电路,
其中电压限制元件包括至少一个齐纳二极管。
9.如权利要求1所述的电子电路,还包括:
与第一晶体管器件和n个第二晶体管器件中的至少一个的负载路径并联连接的至少一个另外的整流器元件。
10.如权利要求1所述的电子电路,其中n>2。
11.如权利要求1所述的电子电路,其中另外的整流器元件连接在控制节点和n个第二晶体管器件中的每一个的第一负载节点之间。
12.如权利要求11所述的电子电路,
其中n个第二晶体管器件中的每一个都包括MOSFET和IGBT中的一个,其包括作为控制节点的栅极节点和作为第一负载节点的源极节点。
13.如权利要求1所述的电子电路,
其中n个第二晶体管器件中的每一个都具有至少一个器件参数,这里n≥2,并且
其中各个n个第二晶体管器件的至少一个器件参数的电平基本上相同。
14.如权利要求13所述的电子电路,其中至少一个器件参数选自由以下构成的组:导通电阻、电压阻断能力和阈值电压。
15.如权利要求13所述的电子电路,
其中第一晶体管器件具有至少一个器件参数,并且其中第一晶体管器件的至少一个器件参数的电平与n个第二晶体管器件中的至少一个器件参数的电平基本上相同。
16.如权利要求1所述的电子电路,其中第二晶体管器件中的每一个都是常通晶体管器件。
17.如权利要求16所述的电子电路,其中第一晶体管器件是常断晶体管器件。
18.如权利要求16所述的电子电路,其中第一晶体管器件是常通晶体管器件。
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