[发明专利]一种含砷的偏钨酸铵制备超细碳化钨粉的方法有效

专利信息
申请号: 201510169211.2 申请日: 2015-04-13
公开(公告)号: CN104803385B 公开(公告)日: 2017-01-11
发明(设计)人: 谭敦强;朱红波;李亚蕾;杨欣;何文;陆磊;陆德平 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: C01B31/34 分类号: C01B31/34
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 代理人: 施秀瑾
地址: 330031 江西省*** 国省代码: 江西;36
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 偏钨酸铵 制备 碳化 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于碳化钨基硬质合金研究领域。

背景技术

硬质合金俗称为“工业牙齿”。超细硬质合金因其具有高韧性、高强度、高硬度而被誉为“三高合金”,有效地解决了传统硬质合金强度与硬度之间的矛盾。然而,WC粉质量的好坏直接影响硬质合金制品的性能,为了获得高性能的超细WC-Co硬质合金,就必须对WC的晶粒大小进行控制。因此制备分散性好、粒度分布均匀的超细碳化钨粉是超细晶WC-Co硬质合金制备的关键技术。

目前,制备超细碳化钨粉末主要有传统氧化钨氢还原-碳化法、氧化钨直接还原碳化法、等离子体化学合成法、机械合金化法。等离子体化学合成法,需特殊工装设备,且工艺控制难度大,生产成本高,不利于批量生产;机械合金化法,长时间球磨会造成碳化钨氧含量和杂质含量增加,只能进行小批量生产,很难实现大规模生产;传统氧化钨氢还原-碳化法,钨粉在碳化过程中烧结增粗,并且会形成粗大团粒,从而使碳化钨粉的粒度、均匀性和分散性很难达到要求;氧化钨直接还原碳化法,通常采用较低的碳化温度,低碳化温度造成碳化不完全,W2C和游离碳含量较高,很难实现一次性碳化合格,虽然提高碳化温度可以使碳化完全,但是碳化温度较高会使WC颗粒急剧长大。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种含砷(As)的偏钨酸铵(AMT)制备超细碳化钨粉的方法。

本发明按如下步骤。

(1)偏钨酸铵-砷前驱体复合粉末的制备。

首先将一定量的单质砷溶于浓度为65%~68%硝酸溶液中的,待砷完全溶解后,再将偏钨酸铵加入到砷的硝酸溶液中,原料中砷的含量为0.01~5wt%;电动搅拌使原料混合均匀后,置于烘箱内烘干,烘箱温度为70~90℃,时间为8~10h,经研磨后制得偏钨酸铵-砷前驱体复合粉末。

(2)三氧化钨粉末的制备。

将制备的偏钨酸铵-砷前驱体复合粉末置于箱式电阻炉中,在空气气氛下进行焙烧,焙烧温度为580~620℃,保温时间为2~4h,制备出黄色三氧化钨粉末。

(3)三氧化钨粉末复合粉末的配碳。

按炭黑与三氧化钨粉末的质量比为0.20﹕1 ~ 0.22﹕1进行配料,并采用行星球磨机干磨2h。

(4)三氧化钨直接还原碳化制备超细碳化钨粉。

将球磨好的三氧化钨粉末与炭黑的混合物粉末放入管式气氛炉中,在Ar气氛下直接进行还原碳化,升温速率为5℃/min,碳化温度为1380~1420℃,碳化时间为1~3h,制备出超细碳化钨粉。

本发明通过研究发现,在WC-Co硬质合金的制备过程中砷对W及WC晶粒具有显著地细化作用。本发明则是采用三氧化钨高温直接还原碳化法,并利用砷对WC颗粒生长抑制的作用以制备粒度均匀的超细WC粉末。该方法不仅能提高碳化钨粉中化合碳的含量,还能有效地控制高温碳化过程中WC晶粒的急剧长大。此方法同样适用于以各种含砷的钨原料来制备超细碳化钨粉。

本发明制备超细碳化钨粉的方法工艺简单,生产成本低廉,适合工厂批量生产超细碳化钨粉,制备出的超细碳化钨粉化合碳含量高、粒度分布均匀且分散性好,其粒径为200~300 nm,有效地推进了超细WC-Co硬质合金的发展与应用。

附图说明

图1为实例1制备出的碳化钨粉的SEM形貌图。

图2为实例2制备出的超细碳化钨粉的SEM形貌图。

图3为实例2制备出的超细碳化钨粉的SEM形貌图。

图4为实例2制备出的超细碳化钨粉的XRD衍射图谱。

具体实施方式

本发明将通过以下实施例作进一步说明。

实施例1。

A. 将100.0 g AMT加入50 ml质量分数为65%~68%的硝酸溶液中,电动搅拌。

B. 待原料混合均匀后,放入烘箱内烘干,烘箱温度为80℃,时间10 h,制得偏钨酸铵前驱体粉末。

C. 将偏钨酸铵前驱体粉末放入箱式电阻炉中,在空气气氛下直接焙烧,焙烧温度为600℃,保温2h,制备出黄色三氧化钨粉末。

D. 将制得的黄色三氧化钨粉末放入管式气氛炉中,通入氩气直接进行还原碳化,升温速率5℃/min,碳化温度为1380~1420℃,碳化时间为1~3h,制备出碳化钨粉。

按上述所描述的方法制成的碳化钨粉形成粗大的团粒,分散性很差,且粒度分布不均匀,其SEM照片见附图1,二次颗粒粒径为2~3μm,一次颗粒大小为0.6~0.8μm。

实施例2。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南昌大学,未经南昌大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510169211.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top