[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置。

背景技术

以薄膜晶体管液晶显示器(英文全称：Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display-Liquid Crystal Display，英文缩写：TFT-LCD)为主导的平板显示，为了满足高画质的要求，对高精细化和高频驱动等要求也不断提高。由此对TFT的电子迁移率提出了更高的要求，因此使用非晶氧化物制作半导体薄膜晶体管TFT-LCD的重要发展方向。

目前刻蚀阻挡型(英文全称：Etch Stop Type，英文缩写：ESL)作为氧化物TFT的常用结构，ESL结构的TFT所用的刻蚀阻挡层一般为SiOx之类的有氧绝缘层。S/D(英文：Source/Drain，源/漏)层通过刻蚀阻挡层上的过孔与有源层接触，在显示面板制作工艺中，通常在有源层上方制作一层覆盖阵列基板上所有结构的刻蚀阻挡层，这样，在制作工序中需要增加一张Mask(掩膜板)进行刻蚀阻挡层的过孔制作，同时彩膜基板按照传统工艺需要同时制作黑矩阵(英文全称：Black Matrix，英文缩写：BM)与像素彩膜，最后对盒完成面板制作，现有技术制作工艺复杂，并且增加刻蚀阻挡层对透过率也会产生影响。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，如何减少显示面板的制作工序。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成栅线和栅极；

形成覆盖所述栅线和栅极的绝缘层；

在绝缘层上对应所述栅极的位置形成有源层；

通过一次构图工艺形成覆盖所述有源层的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层为遮光材料，其中所述刻蚀阻挡层对应像素电极的位置镂空，所刻蚀阻挡层包括位于所述有源层上方的第一过孔和第二过孔；

在所述刻蚀阻挡层上形成导电材料层，并通过构图工艺在所述刻蚀阻挡层上形成数据线、源极和漏极，其中所述源极通过第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接，所述源极还连接所述数据线，所述漏极连接像素电极层。

可选的，所述刻蚀阻挡层覆盖所述栅线、所述有源层和所述数据线的投影位置。

可选的，所述刻蚀阻挡层为黑矩阵BM材料。

可选的，所述有源层为非晶氧化物材料。

一方面，提供一种阵列基板，包括：

衬底基板，位于所述衬底基板上的栅线和栅极；

覆盖所述栅线和栅极的绝缘层；

在绝缘层上对应所述栅极的位置的有源层；

所述有源层上方的蚀阻挡层，其中所述刻蚀阻挡层为遮光材料，所述刻蚀阻挡层对应像素电极的位置镂空，所述刻蚀阻挡层包括位于所述有源层上方的第一过孔和第二过孔；

所述刻蚀阻挡层上的数据线、源极和漏极，其中所述源极通过第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接，所述源极还连接所述数据线，所述漏极连接像素电极层。

可选的，所述刻蚀阻挡层覆盖所述栅线、所述有源层和所述数据线的投影位置。

可选的，所述刻蚀阻挡层为黑矩阵BM材料。

可选的，所述有源层为非晶氧化物材料。

一方面，提供一种显示面板，包括对盒的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板为上述任一阵列基板，所述彩膜基板的彩膜层仅包括彩膜材料。

一方面，提供一种显示装置，包括上述的显示面板。

上述提供的阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，在制作的刻蚀阻挡层采用遮光材料，并且在对应像素电极的位置镂空，因此彩膜基板无需制作黑矩阵，能够节省显示面板的制作工序，此外由于传统的刻蚀阻挡层为一层覆盖整个像素电极区域的材料层，而本发明中的镂空设计因此可以同时提高显示面板的透过率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2为本发明的实施例提供的图1所述的阵列基板的AB截面的结构示意图；

图3为本发明的实施例提供图1所示的阵列基板的CD截面的结构示意图；