[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：

在基板(210)上的薄膜晶体管的底栅极(220)；

在所述基板(210)上且覆盖所述底栅极(220)的底栅极绝缘层(230)；

在所述底栅极绝缘层(230)上的半导体氧化物层(240)；

在所述底栅极绝缘层(230)上且覆盖所述半导体氧化物层(240)的刻蚀阻挡层(250)，所述刻蚀阻挡层(250)包括第一通孔(252)，通过所述第一通孔(252)露出所述半导体氧化物层(240)的部分；

在所述刻蚀阻挡层(250)上的所述薄膜晶体管的漏极(260b)和源极(260a)，所述漏极(260b)通过所述第一通孔(252)接触所述半导体氧化物层(240)；

在所述刻蚀阻挡层(250)上且覆盖所述漏极(260b)和所述源极(260a)的绝缘保护层(270)；

在所述绝缘保护层(270)、所述刻蚀阻挡层(250)以及所述底栅极绝缘层(230)中的第二通孔(272)，通过所述第二通孔(272)露出所述底栅极(220)的部分；

在所述绝缘保护层(270)上的顶栅极(280a)，所述顶栅极(280a)通过所述第二通孔(272)接触所述底栅极(220)。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述半导体氧化物层(240)包括非晶氧化铟镓锌。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述底栅极(220)包括至少一种金属材料。

4.根据权利要求1或3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述顶栅极(280a)与像素电极(280b)采用的材料相同。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述像素电极(280b)包括氧化铟锡。

6.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板(210)上形成薄膜晶体管的底栅极(220)；

在所述基板(210)上形成覆盖所述底栅极(220)的底栅极绝缘层(230)；

在所述底栅极绝缘层(230)上形成半导体氧化物层(240)；

在所述底栅极绝缘层(230)上形成覆盖所述半导体氧化物层(240)的刻蚀阻挡层(250)；

在所述刻蚀阻挡层(250)中形成第一通孔(252)，以使所述第一通孔(252)露出所述半导体氧化物层(240)的部分；

在所述刻蚀阻挡层(250)上形成所述薄膜晶体管的漏极(260b)和源极(260a)，以使所述漏极(260b)通过所述第一通孔(252)接触所述半导体氧化物层(240)；

在所述刻蚀阻挡层(250)上形成覆盖所述漏极(260b)和所述源极(260a)的绝缘保护层(270)；

在所述绝缘保护层(270)、所述刻蚀阻挡层(250)以及所述底栅极绝缘层(230)中形成第二通孔(272)，以使所述第二通孔(272)露出所述底栅极(220)的部分；

在所述绝缘保护层(270)上形成顶栅极(280a)，以使所述顶栅极(280a)通过所述第二通孔(272)接触所述底栅极(220)。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，利用非晶氧化铟镓锌材料形成所述半导体氧化物层(240)。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，利用至少一种金属材料形成所述底栅极(220)。

9.根据权利要求6或8所述的制造方法，其特征在于，利用透明导电材料同时形成所述顶栅极(280a)和像素电极(280b)。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，利用氧化铟锡材料同时形成所述顶栅极(280a)和所述像素电极(280b)。