[发明专利]一种吸收光谱可调钙钛矿结构有机‑无机三元合金杂合物薄膜光阳极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510166025.3 申请日: 2015-04-09
公开(公告)号: CN104851987B 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 徐雪青;王军霞;梁柱荣;徐刚 申请(专利权)人: 中国科学院广州能源研究所
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州科粤专利商标代理有限公司44001 代理人: 莫瑶江
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 吸收光谱 可调 钙钛矿 结构 有机 无机 三元 合金 杂合物 薄膜 阳极 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及薄膜太阳电池技术领域,特别是涉及一种吸收光谱可调钙钛矿结构有机-无机三元合金杂合物薄膜光阳极及其制备方法。

背景技术

近年来,有机-无机钙钛矿杂合物太阳电池因其低成本、高吸光系数的特点成为光伏领域的研究热点。其中,Pb基钙钛矿太阳电池的发展较为快速,经美国可再生能源国家实验室(NREL)认证的实验室电池样品效率已高达20%,即达到Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池的水平。然而传统Pb基钙钛矿杂合物光电化学稳定性较差,薄膜吸收截止波长约为800nm,光谱响应范围仍有待拓宽,Pb的毒性也限制了它的工业应用。因此,亟需研发一种稳定、低毒、吸收光谱可调钙钛矿太阳电池。

发明内容

针对上述提出的问题,本发明提供了一种吸收光谱可调钙钛矿结构有机-无机三元合金杂合物薄膜光阳极及其制备方法,将钙钛矿结构有机-无机三元合金杂合物作为光阳极吸收层,降低了吸收材料的毒性,扩宽了吸收层材料的光谱吸收,通过调整金属元素的比例可实现钙钛矿吸收材料的带隙调控。

现采用以下技术方案:

一种吸收光谱可调钙钛矿结构有机-无机三元合金杂合物薄膜光阳极,包括依次层叠的导电玻璃层、二氧化钛层和钙钛矿结构有机-无机三元合金杂合物层,所述钙钛矿结构有机-无机三元合金杂合物的通式为RNH3(PbxSn1-x)yGe1-yI3,其中R选自CH3、C2H5或C3H7,0<x<1,0<y<1。

进一步地,所述导电玻璃选自FTO、ITO、ATO或AZO,优选为FTO。

进一步地,0.1≤x≤0.9,0.1≤y≤0.9。

进一步地,所述导电玻璃层的厚度为250~350nm,所述二氧化钛层的厚度为100~600nm,所述钙钛矿结构有机-无机三元合金杂合物层的厚度为300~700nm。

本发明还提供上述吸收光谱可调钙钛矿结构有机-无机三元合金杂合物薄膜光阳极的制备方法,所述钙钛矿结构有机-无机三元合金杂合物的通式为RNH3(PbxSn1-x)yGe1-yI3,其中R选自CH3、C2H5或C3H7(包括正丙基和异丙基),0<x<1,0<y<1;包括以下步骤:

(1)RNH3(PbxSn1-x)I3的合成:按照化学计量比取RNH3I、PbI2和SnI2(即按照上述化学式中x的数值确定药品的用量比,比如,当x=0.1时,RNH3I、PbI2和SnI2的摩尔比为10:1:9),溶解在HI与H3PO2混合溶剂中,90~120℃下反应,反应结束后(此时溶液为亮黄色)冷却过滤得到RNH3(PbxSn1-x)I3晶体;

(2)RNH3GeI3的合成:将GeO2溶解在HI与H3PO2混合溶剂中,80~100℃下反应,反应结束后冷却过滤,在滤液中添加与GeO2等摩尔的RNH3I,加热至沸腾后,冷却过滤得到RNH3GeI3晶体;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院广州能源研究所,未经中国科学院广州能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510166025.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top