[发明专利]一种铜铟硫/石墨烯复合薄膜材料的制备方法

权利要求书

1.一种铜铟硫/石墨烯复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：将氯化亚铜、氯化铟和硫粉按比例加入到含有氧化石墨烯的二甲基甲酰胺或乙二醇单甲醚溶剂中，制成电沉积溶液；采用恒电位一步电沉积法在导电基底上制备铜铟硫/石墨烯复合薄膜材料，该方法制备的复合薄膜材料的光电转换效率得到了提高。

2.根据权利要求1所述的一种铜铟硫/石墨烯复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：氧化石墨烯的浓度为0.1mg/mL～0.5mg/mL。

3.根据权利要求1所述的一种铜铟硫/石墨烯复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：沉积液中氯化亚铜的浓度为3mmol/L～10mmol/L，氯化铟的浓度为3mmol/L～10mmol/L，并保持Cu/In的摩尔比在1:2～2:1之间。

4.根据权利要求1所述的一种铜铟硫/石墨烯复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：沉积液中Cu/S的摩尔比在1:2～1:6之间。

5.根据权利要求1所述的一种铜铟硫/石墨烯复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：沉积电位相对于饱和甘汞参比电极为-1.0V～-1.5V，沉积时间为20min～60min，沉积温度为20℃～50℃。

6.根据权利要求1所述的一种铜铟硫/石墨烯复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述的导电基底为导电玻璃或者金属。