[发明专利]具有包括收缩部的半导体台面的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

体区，其在半导体台面中，所述半导体台面被形成在邻近的控制结构之间，所述控制结构从第一表面延伸至半导体主体之中；

漂移区，其与所述体区形成第一pn结，并且在所述半导体台面中包括第一漂移区部分，所述第一漂移区部分包括所述半导体台面的收缩部分，其中所述收缩部分的平行于所述第一表面的最小水平宽度小于所述体区的最大水平宽度；以及

发射极层，其位于所述漂移区和平行于所述第一表面的第二表面之间，所述发射极层包括至少一个所述漂移区的导电类型的第一区，

其中所述控制结构中的至少一个控制结构被配置为在增强二极管模式中在所述漂移区中沿着有关的控制结构感生反型层，并且在去饱和模式中在所述漂移区中不感生反型层。

2.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述收缩部分的所述最小水平宽度小于所述第一pn结的水平宽度。

3.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述收缩部分的所述最小水平宽度是至多300nm。

4.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述收缩部分的所述最小水平宽度是所述体区的所述最大水平宽度的至多80％。

5.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述发射极层的所述至少一个第一区形成第一导电类型的毗连层。

6.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述发射极层包括位于所述第一区之间的第二区，所述第二区的导电类型与所述漂移区的所述导电类型相反。

7.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述收缩部分的所述最小水平宽度沿着所述半导体台面的纵向延伸以至少10％变化。

8.如权利要求1所述的半导体器件，包括：

多个所述半导体台面，其中所述收缩部分的所述最小水平宽度在所述半导体台面之间以至少10％变化。

9.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述收缩部分的垂直延伸是至少0.5μm。

10.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述收缩部分的垂直延伸沿着所述半导体台面的纵向延伸以至少10％变化。

11.如权利要求1所述的半导体器件，包括：

多个所述半导体台面，其中所述收缩部分的垂直延伸在所述半导体台面之间以至少10％变化。

12.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

晶体管单元，其中在正向导电模式中电荷载流子通过所述晶体管单元进入所述漂移区。

13.如权利要求12所述的半导体器件，

其中所述晶体管单元的总体密度沿着通过所述半导体主体的水平中心的直线按大于10％变化。

14.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

接触结构，其包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于介电包覆层的开口中，所述介电包覆层直接邻接所述第一表面，所述第二部分被夹在所述半导体台面和控制电极之间，所述控制电极被包括在所述邻近的控制结构中的一个控制结构中。

15.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述控制结构包括介电内衬，所述介电内衬将控制电极与所述半导体主体分开，并且

其中所述介电内衬沿着所述控制结构的与所述发射极相对的底部部分比在邻接所述半导体台面的侧壁部分中具有更大宽度。