[发明专利]半导体布置及其形成

说明书

本发明提供一种半导体布置及其形成方法。半导体布置包括包围第一传输线的第一介电层和包围第一介电层的磁性层。磁性层增大了传输线的电感。相比于不具有磁性层的半导体布置，具有包围第一传输线的磁性层半导体布置具有增大的阻抗，从而提升了流经传输线的电流，而没有增大电阻。增大的电阻需要增大的功率，从而导致半导体布置寿命短于没有增大的电阻的半导体布置。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，涉及半导体布置及其形成方法。

背景技术

在半导体布置中，导电材料的多个层通过介电层或非导电层彼此分离。在介电层内或穿过介电层形成导电通孔以选择性地连接不同的导电层。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种半导体布置，包括：第一传输线，被第一介电层包围；磁性层，包围所述第一介电层，相对于所述第一传输线和所述第一介电层中的至少一个来确定所述磁性层的尺寸，以使所述第一传输线的电感增大了大于1的系数；以及第二介电层，包围所述磁性层。

在该半导体布置中，所述磁性层包围所述第一传输线，使得所述第一传输线与所述磁性层的第一侧壁、所述磁性层的第二侧壁、所述磁性层的顶壁和所述磁性层的底壁是基本等距的。

在该半导体布置中，所述第一传输线包括铜。

在该半导体布置中，所述磁性层包括镍。

在该半导体布置中，所述第一介电层的介电常数小于4；和/或所述第二介电层的介电常数小于4。

在该半导体布置中，所述第一介电层包括氮化物和氧化物中至少一种；和/或所述第二介电层包括氮化物和氧化物中至少一种。

在该半导体布置中，所述第二介电层位于衬底上方，所述衬底具有参考偏压。

在该半导体布置中，所述第一传输线的第一传输线高度小于100微米。

根据本发明的另一方面，提供了一种形成半导体布置的方法，包括：形成第一复合件，包括在第二下介电层中形成第一开口；在所述第一开口中形成第一磁性层；在所述第一开口中的所述第一磁性层上方形成第一下介电层；在所述第一下介电层中形成第二开口；和在所述第二开口中形成第一传输线；以及形成第二复合件，包括：在第二上介电层的第三开口中形成第二磁性层；和在所述第三开口中的所述第二磁性层上方形成第一上介电层；和将所述第二复合件翻转并且放置到所述第一复合件上方以形成第三复合件，使得所述第一磁性层和所述第二磁性层相接触。

该方法包括使所述第三复合件退火，包括：形成包围所述第一传输线的第一介电层，所述第一介电层包括所述第一上介电层和所述第一下介电层；形成包围所述第一介电层的磁性层，所述磁性层包括所述第一磁性层和所述第二磁性层；以及形成包围所述磁性层的第二介电层，所述第二介电层包括所述第二上介电层和所述第二下介电层。

在该方法中，所述退火包括在约10秒到约70秒之间的第一持续时间段内，使用在约500℃到2000℃之间的第一温度。

在该方法中，形成第一传输线包括执行铜的原子层沉积(ALD)、铜的物理汽相沉积(PVD)、和铜的化学汽相沉积(CVD)的中的至少一种。

在该方法中，形成第一磁性层包括执行镍的原子层沉积(ALD)、镍的物理汽相沉积(PVD)或镍的化学汽相沉积(CVD)中的至少一种；和/或形成第二磁性层包括执行镍的ALD、镍的PVD、镍的CVD中的至少一种。

该方法包括在衬底上方形成所述第二下介电层，所述衬底具有参考偏压。