[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示设备在审
| 申请号： | 201510159095.6 | 申请日： | 2015-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104716201A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 邹志翔;操彬彬;黄寅虎 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 任嘉文 |
| 地址： | 230011 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示 设备 | ||
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：
在衬底基板上形成栅极线；
对形成有栅极线的衬底基板进行用于减缓栅极线鼓包的处理，并在处理后的衬底基板上形成栅绝缘层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：
在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上，分别形成有源层、源极、漏极、钝化层、公共电极以及像素电极。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对形成有栅极线的衬底基板进行用于减缓栅极线鼓包的处理，并在处理后的衬底基板上形成栅绝缘层，具体包括：
在形成有栅极线的衬底基板上直接形成栅绝缘层；或者，
利用预设的等离子处理功率对所述栅极线进行等离子处理，并在等离子处理处理后的形成有栅极线的衬底基板上形成栅绝缘层，其中，所述预设的等离子处理功率小于8千瓦；或者，
按照预设的预热时间，对形成有栅极线的衬底基板进行预热处理，并在预热处理后的形成有栅极线的衬底基板上形成栅绝缘层，其中，所述预设的预热时间小于60秒；或者，
按照预设的预热时间对形成有栅极线的衬底基板进行预热处理，并且，利用预设的等离子处理功率对所述栅极线进行等离子处理，在所述预热处理后以及所述等离子处理后的形成有栅极线的衬底基板上形成栅绝缘层，其中，所述预设的等离子处理功率小于8千瓦，和/或，所述预设的预热时间小于60秒。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预热时间大于或等于10秒，且小于或等于20秒。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设的等离子处理功率大于或等于5千瓦，且小于或等于7千瓦。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述栅极线进行等离子处理，具体为采用氮气对所述栅极线进行等离子处理。
7.根据权利要求1-6任一权项所述的方法，其特征在于，所述的栅极线的材料包括铜。
8.一种薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管是采用权利要求1-7任一权项所述的方法制成的薄膜晶体管。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求8所述的薄膜晶体管。
10.一种显示设备，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。
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