[发明专利]开关器件

权利要求书

1.一种开关器件，包括：

第一切换路径，

第二切换路径，

其中所述第一切换路径和所述第二切换路径在供给电压和负载之间彼此并联耦合，

其中在闭合状态中，所述第一切换路径的电阻大于所述第二切换路径的电阻，并且

其中所述开关器件被配置为当所述第一切换路径两端的电压降超过预先确定的值时开启所述第二切换路径。

2.根据权利要求1所述的开关器件，其中所述开关器件被配置成当要感测负载电流时仅激活所述第一切换路径。

3.根据权利要求1所述的开关器件，其中所述开关器件被配置成当要感测低于预先确定的阈值的负载电流时仅开启所述第一切换路径。

4.根据权利要求1所述的开关器件，其中所述开关器件被进一步配置成在负载电流测量的时间以外开启所述第二切换路径。

5.根据权利要求1所述的开关器件，进一步包括与所述第一切换路径耦合的电流感测电路。

6.根据权利要求5所述的开关器件，其中所述电流感测电路进一步与所述第二切换路径耦合。

7.根据权利要求1所述的开关器件，其中所述第一切换路径包括第一晶体管，以及其中所述第二切换路径包括第二晶体管，所述第二晶体管比所述第一晶体管大。

8.根据权利要求7所述的开关器件，其中所述第一晶体管是MOS晶体管，以及其中所述第二晶体管是MOS晶体管，

其中所述第一晶体管的漏极端子要与供给电压耦合，其中所述第二晶体管的漏极端子要与所述供给电压耦合，

其中所述第一晶体管的源极端子与所述第二晶体管的源极端子耦合并且要与负载的端子耦合，以及其中所述第二晶体管的栅极端子在第一操作模式与电荷泵耦合并且在第二操作模式与所述第二晶体管的漏极端子耦合。

9.根据权利要求8所述的开关器件，其中在第一操作模式所述第二晶体管的栅极端子耦合到所述第一晶体管的栅极端子。

10.根据权利要求8所述的开关器件，其中所述第一晶体管的栅极端子与另一电荷泵耦合。

11.根据权利要求8所述的开关器件，其中所述第二晶体管的漏极端子通过电压修改器件或电压修改电路中的至少一个与所述供给电压耦合。

12.根据权利要求11所述的开关器件，其中所述电压修改器件根据温度、所述第一晶体管两端的电压降或经过所述第一晶体管的电流中的至少一个被调整。

13.根据权利要求7所述的开关器件，进一步包括耦合到所述第二晶体管的过电流检测电路。

14.一种开关器件，包括：

在接通状态具有较低电阻的第一操作模式，

在接通状态具有较高电阻的第二操作模式，

在所述第一操作模式和所述第二操作模式之间切换的第一切换机构，以及

在所述第二操作模式中的过负载的情况下切换到所述第一操作模式的不同于所述第一切换机构的第二切换机构。

15.根据权利要求14所述的开关器件，进一步包括被配置用于测量通过所述开关器件的电流的估计/诊断电路。

16.一种用于操作开关器件的方法，包括：

仅激活较高欧姆切换路径用于在低电流下进行电流感测，

在较高电流下激活较低欧姆切换路径，以及

使用与在较高电流下激活所述较低欧姆切换路径不同的激活机构来激活所述较低欧姆切换路径以防止过负载。

17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括在电流感测时隙以外激活所述较低欧姆切换路径。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述较低欧姆切换路径包括第一晶体管，以及其中所述较高欧姆切换路径包括第二晶体管，其中激活所述较低欧姆切换路径以防止所述较高欧姆切换路径的过负载包括当所述第一晶体管的源-漏电压对应于所述第二晶体管的阈值电压时激活所述第二晶体管。