[发明专利]一种半导体材料及其调制禁带宽度的方法与应用在审
| 申请号： | 201510155588.2 | 申请日： | 2015-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104973576A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 欧刚;李东珂;潘伟;伍晖 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C01B13/14 | 分类号： | C01B13/14;H01L31/0296;B01J23/06 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 黄家俊 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 及其 调制 宽度 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种调制半导体材料禁带宽度的方法，其特征在于，利用熔融-冷却工艺来调制半导体材料禁带宽度。
2.根据权利要求1所述的一种调制半导体材料禁带宽度的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先采用高温热源将选定的半导体材料熔化达到原子级混合均匀，然后将所得熔体冷却使其凝固，获得禁带宽度调制后的半导体材料。
3.根据权利要求2所述的一种调制半导体材料禁带宽度的方法，其特征在于，所述半导体材料为Cu2O、ZnO、Y2O3、ZrO2、Nb2O5、In2O3、SnO2、CeO2或WO3。
4.根据权利要求2所述的一种调制半导体材料禁带宽度的方法，其特征在于，所述高温热源为电弧、激光、射频、高温喷灯、等离子体、电感应、影像炉、电炉或电火花。
5.根据权利要求2所述的一种调制半导体材料禁带宽度的方法，其特征在于，所述冷却方式为空冷、水冷、液氮冷却或恒温基板冷却；冷却速度为102K/s～1010K/s。
6.一种半导体材料，其特征在于，所述半导体材料为通过权利要求1～5任意一项权利要求所述方法进行了禁带宽度调制的半导体材料。
7.如权利要求6所述的一种半导体材料的应用方法，其特征在于，所述半导体材料用于制备半导体器件。
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