[发明专利]用于制备高k介质层的方法

权利要求书

1.一种用于制备高k介质层的方法，其特征在于包括：

第一步骤，用于对半导体硅衬底进行前清洗；

第二步骤，用于执行SiO₂或SiON层生长；

第三步骤，用于沉积高k介质层；

第四步骤，用于对高k介质层进行退火处理，其中将O₂、HCl和N₂的混合气作为退火气体。

2.根据权利要求1所述的用于制备高k介质层的方法，其特征在于，所述高k介质层为高k栅极介质层。

3.根据权利要求1或2所述的用于制备高k介质层的方法，其特征在于，在第四步骤的退火处理中，工艺温度为400～800℃，N₂流量为10～50Slm，O₂流量为1～10Slm，HCl流量为0.02～0.5Slm，工艺时间为0.2～5min；优选地，工艺温度为600℃，N₂流量为20Slm，O₂流量为5Slm，HCl流量为0.1Slm，工艺时间为0.5min。

4.根据权利要求1或2所述的用于制备高k介质层的方法，其特征在于，第三步骤沉积的高k介质层的厚度介于至之间。

5.根据权利要求3所述的用于制备高k介质层的方法，其特征在于，第三步骤沉积的高k介质层的厚度为

6.根据权利要求1或2所述的用于制备高k介质层的方法，其特征在于，高k介质层为HfO₂层、ZrO₂层或Al₂O₃层。

7.根据权利要求1或2所述的用于制备高k介质层的方法，其特征在于，第二步骤生长的SiO₂或SiON层的厚度介于至之间。

8.根据权利要求1或2所述的用于制备高k介质层的方法，其特征在于，第二步骤生长的SiO₂或SiON层的厚度为

9.根据权利要求1或2所述的用于制备高k介质层的方法，其特征在于，在第一步骤中，使用酸槽对半导体硅衬底进行高k前清洗。

10.根据权利要求1或2所述的用于制备高k介质层的方法，其特征在于，所述半导体硅衬底包括N/P阱结构和浅沟槽隔离STI结构。