[发明专利]激光加工及切割系统与方法

权利要求书

1.一种激光切割方法，包含：

安装工件于支撑平台的工件支撑表面上，其中激光光束递送系统位于该工件的平面的上且相对侧照相机位于该工件的平面之下，其中该支撑平台安装于空气轴承X-Y定位平台上；

使该支撑平台与该相对侧照相机至少其中之相对于彼此移动，使该相对侧照相机朝向该工件的背离该激光光束递送系统的底侧；

经由该相对侧照相机而对该工件的该底侧上的特征(feature)进行成像，以产生影像数据；

处理该影像数据并根据该影像数据以产生对准数据，该对准数据表示该底上的该特征相对于该激光光束递送系统的对准位置的位置；

根据该对准数据而定位该空气轴承X-Y定位平台，以移动该工件使该激光光束递送系统相对于该工件的该底侧上的该特征而对准该工件；以及

经由来自该激光光束递送系统的激光，加工该工件；

其中，加工该工件包含准秘密(quasi-stealth)切割加工该工件。

2.如权利要求1所述的方法，其中使该支撑平台与该相对侧照相机相对于彼此移动包含：使该支撑平台自加工位置线性地滑动至对准位置。

3.如权利要求1所述的方法，其中使该支撑平台与该相对侧照相机相对于彼此移动包含：使该相对侧照相机自回缩位置线性地滑动至对准位置。

4.如权利要求1所述的方法，其中该工件为半导体晶圆，该半导体晶圆在正面上包含晶粒阵列，在该晶粒之间形成通道，其中该半导体晶圆使该正面朝下地安装于该工件支架上，其中被该相对侧照相机成像的该特征为所述通道其中之一，且其中加工该工件包含：在与所述晶粒相对的一背面上切割该半导体晶圆，使该切痕对准于该相对侧上的所述通道之间。

5.如权利要求1所述的方法，其中该工件为半导体晶圆，其中该半导体晶圆使第一侧朝下地安装于该工件支架上，其中被该相对侧照相机成像的该特征加工于该第一侧上的切痕，且其中加工该工件包括：在与该第一侧相对的第二侧上切割该半导体晶圆，使该第二侧上的该切痕对准该第一侧上的该切痕。

6.如权利要求5所述的方法，其中该半导体晶圆在一正面上包含晶粒阵列，在所述晶粒之间形成通道。

7.如权利要求6所述的方法，其中该正面为该第一侧，其中该第一侧上的该切痕位于所述晶粒间的所述通道中，且其中在该第二侧上切割该半导体晶圆包含：切割该背面，使该背面上的该切痕对准该相对的该正面上所述通道中的该切痕。

8.如权利要求6所述的方法，其中该背面为该第一侧，其中该第一侧上的该切痕与该正面上所述晶粒间的所述通道相对，且其中在该第二侧上切割该半导体晶圆包含：在所述通道之间切割该正面，使该正面上的该切痕对准该相对的背面上的该切痕。

9.如权利要求1所述的方法，其中加工该工件包括：经由来自该激光光束递送系统的激光而切割该工件的第一侧以形成第一切痕，反转该工件，并经由来自该激光光束递送系统的一激光而切割该工件的第二侧，以形成对准该第一切痕的第二切痕。

10.一种激光切割半导体晶圆的方法，该半导体晶圆的正面上包含一晶粒阵列，在该晶粒之间形成通道，该方法包含：

将该半导体晶圆定位成使该半导体晶圆的背面朝向激光光束递送系统；

对准该半导体晶圆，使激光光束递送系统将递送激光光束至该背面，其中该激光光束位于该半导体晶圆的该正面上该通道其中之一的宽度内；

经由该激光光束切割该晶圆的该背面，以形成至少一个背面切痕；

将该半导体晶圆定位成使该正面朝向该激光光束递送系统；

对准该半导体晶圆，使激光光束递送系统将递送激光光束至该正面，其中该激光光束位于该半导体晶圆的该正面上所述通道其中之一的宽度内且实质上对准该至少一个背面切痕；以及

经由该激光光束切割该晶圆的该正面，以形成至少一个正面切痕；

其中，该至少一个背面切痕以及该至少一个正面切痕至少其中之一是由准秘密(quasi-stealth)切割形成。

11.如权利要求9所述的方法，其中该至少一个正面切痕与该至少一个背面切痕其中另一利用烧蚀而形成。

12.如权利要求9所述的方法，其中该至少一个正面切痕与该至少一个背面切痕其中另一利用再结晶切割而形成。