[发明专利]一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法有效

专利信息
申请号: 201510145019.X 申请日: 2015-03-30
公开(公告)号: CN104732031B 公开(公告)日: 2017-08-29
发明(设计)人: 于登云;李衍存;蔡震波;张庆祥;贾晓宇;赵小宇 申请(专利权)人: 北京空间飞行器总体设计部
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 中国航天科技专利中心11009 代理人: 安丽
地址: 100094 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 离子 试验 数据 器件 质子 翻转 截面 反演 方法
【权利要求书】:

1.一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,其特征在于包括步骤如下:

(1)确定质子能量;

(2)确定器件金属布线层、氧化层的材料类型和厚度;

(3)确定器件敏感区的材料和厚度;

所述器件敏感区的材料根据器件所采用的材料确定;

所述器件敏感区的厚度根据下式确定:

其中,d为敏感区厚度;μn为电子迁移率;μp为空穴迁移率;ε为介电常数;q为元电荷电量;Na为受主掺杂浓度;Nd为施主掺杂浓度;V为外加电压;Vb为内建电势,其中k为波尔兹曼常数,T为温度,ni为本征载流子浓度;

(4)分析质子在敏感区中的能量沉积微分谱

(5)将敏感区中的能量沉积微分谱转化为等效LET微分谱 转化公式为:

其中,是质子在敏感区中的能量沉积微分谱;是质子在敏感区中的等效LET微分谱;ρ是硅的密度;d是敏感区厚度;

(6)以等效LET谱为输入,基于器件在重离子辐照下的Weibull曲线σ-LET,计算器件在质子辐照下的翻转截面:

通过下面的公式计算得到质子的翻转截面:

其中,σp是器件质子翻转截面;σi是器件重离子翻转截面Weibull曲线σ-LET,包含4个参数:器件饱和翻转截面σsat、LET阈值Lth、宽度参数W、形状参数S;LETmax表示LET取值的上限;LETmin表示LET取值的下限。

2.根据权利要求1所述的一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,其特征在于:所述步骤(1)中的质子能量取1MeV~1GeV范围内的任意数值。

3.根据权利要求1所述的一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,其特征在于:所述步骤(2)中的确定器件金属布线层、氧化层的材料类型和厚度的方式:通过化学机械研磨获得器件光滑的断面;采用扫描电子显微镜对器件断面进行测量,获得各层的厚度参数;通过X射线衍射方法分析各层的成分。

4.根据权利要求2所述的一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,其特征在于:所述步骤(4)中分析质子在敏感区中的能量沉积微分谱 的具体方式如下:

利用GEANT4分析质子穿过器件金属布线层和氧化层达到敏感区的过程中,次级粒子在敏感区中的能量沉积E,统计每个能量沉积间隔(E,E+ΔE)的概率由此即可确定能量沉积微分谱

GEANT4分析过程中的高能物理模块根据入射质子能量进行选择,质子能量在1MeV~70MeV时选择预复合模型,在70MeV~1GeV时选择级联模型;粒子能量损失分析模块选择标准电磁相互作用模型。

5.根据权利要求4所述的一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,其特征在于:所述步骤(6)中LET取值的具体计算方式如下:

其中,LET为线性能量传输系数;E为能量沉积;ρ为硅的密度;能量沉积E的范围为Emin~Emax,相应可以得到LET的范围为LETmin~LETmax

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