[发明专利]一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法有效
申请号: | 201510145019.X | 申请日: | 2015-03-30 |
公开(公告)号: | CN104732031B | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 于登云;李衍存;蔡震波;张庆祥;贾晓宇;赵小宇 | 申请(专利权)人: | 北京空间飞行器总体设计部 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心11009 | 代理人: | 安丽 |
地址: | 100094 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 离子 试验 数据 器件 质子 翻转 截面 反演 方法 | ||
1.一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,其特征在于包括步骤如下:
(1)确定质子能量;
(2)确定器件金属布线层、氧化层的材料类型和厚度;
(3)确定器件敏感区的材料和厚度;
所述器件敏感区的材料根据器件所采用的材料确定;
所述器件敏感区的厚度根据下式确定:
其中,d为敏感区厚度;μn为电子迁移率;μp为空穴迁移率;ε为介电常数;q为元电荷电量;Na为受主掺杂浓度;Nd为施主掺杂浓度;V为外加电压;Vb为内建电势,其中k为波尔兹曼常数,T为温度,ni为本征载流子浓度;
(4)分析质子在敏感区中的能量沉积微分谱
(5)将敏感区中的能量沉积微分谱转化为等效LET微分谱 转化公式为:
其中,是质子在敏感区中的能量沉积微分谱;是质子在敏感区中的等效LET微分谱;ρ是硅的密度;d是敏感区厚度;
(6)以等效LET谱为输入,基于器件在重离子辐照下的Weibull曲线σ-LET,计算器件在质子辐照下的翻转截面:
通过下面的公式计算得到质子的翻转截面:
其中,σp是器件质子翻转截面;σi是器件重离子翻转截面Weibull曲线σ-LET,包含4个参数:器件饱和翻转截面σsat、LET阈值Lth、宽度参数W、形状参数S;LETmax表示LET取值的上限;LETmin表示LET取值的下限。
2.根据权利要求1所述的一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,其特征在于:所述步骤(1)中的质子能量取1MeV~1GeV范围内的任意数值。
3.根据权利要求1所述的一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,其特征在于:所述步骤(2)中的确定器件金属布线层、氧化层的材料类型和厚度的方式:通过化学机械研磨获得器件光滑的断面;采用扫描电子显微镜对器件断面进行测量,获得各层的厚度参数;通过X射线衍射方法分析各层的成分。
4.根据权利要求2所述的一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,其特征在于:所述步骤(4)中分析质子在敏感区中的能量沉积微分谱 的具体方式如下:
利用GEANT4分析质子穿过器件金属布线层和氧化层达到敏感区的过程中,次级粒子在敏感区中的能量沉积E,统计每个能量沉积间隔(E,E+ΔE)的概率由此即可确定能量沉积微分谱
GEANT4分析过程中的高能物理模块根据入射质子能量进行选择,质子能量在1MeV~70MeV时选择预复合模型,在70MeV~1GeV时选择级联模型;粒子能量损失分析模块选择标准电磁相互作用模型。
5.根据权利要求4所述的一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,其特征在于:所述步骤(6)中LET取值的具体计算方式如下:
其中,LET为线性能量传输系数;E为能量沉积;ρ为硅的密度;能量沉积E的范围为Emin~Emax,相应可以得到LET的范围为LETmin~LETmax。
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