[发明专利]半导体背面用切割带集成膜有效

专利信息
申请号: 201510142857.1 申请日: 2010-06-12
公开(公告)号: CN105047597B 公开(公告)日: 2018-04-03
发明(设计)人: 林美希;高本尚英 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 代理人: 刘新宇,李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 背面 切割 集成
【权利要求书】:

1.一种半导体背面用切割带集成膜,其包括:

切割带,所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层;和

倒装芯片型半导体背面用膜,所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上,

其中所述倒装芯片型半导体背面用膜的在60℃下的贮能弹性模量为0.9MPa至15MPa,

所述倒装芯片型半导体背面用膜在温度为85℃和湿度为85%RH的环境下静置168小时后的吸湿度为不大于1%,和

其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含添加至其的着色剂。

2.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜,其在倒装芯片接合时使用。

3.一种生产半导体器件的方法,其使用半导体背面用切割带集成膜,所述半导体背面用切割带集成膜包括:切割带,所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层;和倒装芯片型半导体背面用膜,所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上,其中所述倒装芯片型半导体背面用膜的在60℃下的贮能弹性模量为0.9MPa至15MPa,和所述倒装芯片型半导体背面用膜在温度为85℃和湿度为85%RH的环境下静置168小时后的吸湿度为不大于1%,

所述方法包括:

将半导体晶片的非电路面粘贴至所述半导体背面用切割带集成膜的所述倒装芯片型半导体背面用膜上,

切割所述半导体晶片以形成半导体元件,

将所述半导体元件与粘贴至所述半导体元件的非电路面的所述倒装芯片型背面用膜一起从所述切割带的所述压敏粘合剂层剥离,和

以所述半导体元件的电路面与被粘物相对并且所述倒装芯片型背面用膜粘贴至所述半导体元件的非电路面的方式将所述半导体元件倒装芯片连接至所述被粘物上。

4.一种倒装芯片安装的半导体器件,其通过根据权利要求3所述的方法制造。

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