[发明专利]半导体背面用切割带集成膜有效
| 申请号: | 201510142857.1 | 申请日: | 2010-06-12 |
| 公开(公告)号: | CN105047597B | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
| 发明(设计)人: | 林美希;高本尚英 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 背面 切割 集成 | ||
1.一种半导体背面用切割带集成膜,其包括:
切割带,所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层;和
倒装芯片型半导体背面用膜,所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上,
其中所述倒装芯片型半导体背面用膜的在60℃下的贮能弹性模量为0.9MPa至15MPa,
所述倒装芯片型半导体背面用膜在温度为85℃和湿度为85%RH的环境下静置168小时后的吸湿度为不大于1%,和
其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含添加至其的着色剂。
2.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜,其在倒装芯片接合时使用。
3.一种生产半导体器件的方法,其使用半导体背面用切割带集成膜,所述半导体背面用切割带集成膜包括:切割带,所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层;和倒装芯片型半导体背面用膜,所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上,其中所述倒装芯片型半导体背面用膜的在60℃下的贮能弹性模量为0.9MPa至15MPa,和所述倒装芯片型半导体背面用膜在温度为85℃和湿度为85%RH的环境下静置168小时后的吸湿度为不大于1%,
所述方法包括:
将半导体晶片的非电路面粘贴至所述半导体背面用切割带集成膜的所述倒装芯片型半导体背面用膜上,
切割所述半导体晶片以形成半导体元件,
将所述半导体元件与粘贴至所述半导体元件的非电路面的所述倒装芯片型背面用膜一起从所述切割带的所述压敏粘合剂层剥离,和
以所述半导体元件的电路面与被粘物相对并且所述倒装芯片型背面用膜粘贴至所述半导体元件的非电路面的方式将所述半导体元件倒装芯片连接至所述被粘物上。
4.一种倒装芯片安装的半导体器件,其通过根据权利要求3所述的方法制造。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





