[发明专利]ADS阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种ADS阵列基板，包括公共电极和多个子像素区域，其特征在于，至少部分相邻的两个子像素区域之间设置有金属线，所述金属线与公共电极并联。

2.根据权利要求1所述的ADS阵列基板，其特征在于，所述金属线包括：

在至少部分相邻的两行子像素区域之间设置的、沿行方向延伸的第一金属线，和/或，

在至少部分相邻的两列子像素区域之间设置的、沿列方向延伸的第二金属线。

3.根据权利要求2所述的ADS阵列基板，其特征在于，还包括：

交叉分布的多条栅线组和多条数据线，限定多个像素区域，每个像素区域包括在行方向上相邻的两个所述子像素区域，每个子像素区域包括像素电极和薄膜晶体管，每条栅线组包括两条栅线；

同一行子像素区域中，奇数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条栅线，偶数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至另一条栅线；

相邻两列像素区域中，相邻的两列子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条数据线；

所述第二金属线设置在每列像素区域中的两列子像素区域之间，所述第二金属线与栅线组之间绝缘。

4.根据权利要求3所述的ADS阵列基板，其特征在于，所述第二金属线包括并联的源漏金属层和栅金属层。

5.根据权利要求4所述的ADS阵列基板，其特征在于，在所述第二金属线的延伸方向上，所述第二金属线的栅金属层对应栅线组的位置断开，使得所述第二金属线与栅线组之间绝缘。

6.根据权利要求3所述的ADS阵列基板，其特征在于，所述第一金属线设置在每条栅线组中的两条栅线之间，所述第一金属线与栅线组、数据线之间绝缘。

7.根据权利要求6所述的ADS阵列基板，其特征在于，所述第一金属线的材料为源漏金属，与所述栅线组不同层设置，使得所述第一金属线与栅线组之间绝缘。

8.根据权利要求7所述的ADS阵列基板，其特征在于，在所述第一金属线的延伸方向上，所述第一金属线对应数据线的位置断开，使得所述第一金属线与数据线之间绝缘。

9.一种权利要求1-8任一项所述的ADS阵列基板的制作方法，包括形成公共电极的步骤和形成多个子像素区域的步骤，其特征在于，还包括：

在至少部分相邻的两个子像素区域之间形成金属线的步骤，所述金属线与公共电极并联。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成金属线的步骤包括：

在至少部分相邻的两行子像素区域之间形成沿行方向延伸的第一金属线，和/或，

在至少部分相邻的两列子像素区域之间形成沿列方向延伸的第二金属线。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：

形成栅金属薄膜，对所述栅金属薄膜进行构图工艺，形成多条栅线组和所述第二金属线的栅金属层，每条栅线组包括两条栅线；

形成源漏金属薄膜，对所述源漏金属薄膜进行构图工艺，形成多条数据线、所述第二金属线的源漏金属层和所述第一金属线，所述多条栅线组和多条数据线限定多个像素区域，每个像素区域包括在行方向上相邻的两个所述子像素区域；

在每个所述子像素区域形成像素电极和薄膜晶体管，同一行子像素区域中，奇数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条栅线，偶数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至另一条栅线；相邻两列像素区域中，相邻的两列子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条数据线；

具体在每列像素区域中的两列子像素区域之间形成所述第二金属线，在所述第二金属线的延伸方向上，所述第二金属层的栅金属层对应所述栅线组的位置断开，使得所述第二金属线与栅线组之间绝缘；

具体在所述栅线组的两条栅线之间形成所述第一金属线，在所述第一金属线的延伸方向上，所述第一金属线对应数据线的位置断开，使得所述第一金属线与数据线之间绝缘。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的ADS阵列基板。