[发明专利]柔性装置及其制作方法有效
申请号: | 201510138382.9 | 申请日: | 2015-03-26 |
公开(公告)号: | CN104716081B | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | 刘陆;谢明哲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人: | 苏培华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 装置 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种用于柔性装置及其制作方法。
背景技术
目前柔性的制作工艺有roll-to-roll和片对片两种制造方式。片对片生产模式可以很好的利用液晶面板的生产工艺和设备,具体的方法是以刚性基底作为载具,将柔性装置制作在刚性基底上,之后再将刚性基底与制作好的柔性装置剥离的方法。
其中一种剥离方法是飞利浦公司所采用的激光剥离方法,这种方法中采用激光来破坏柔性装置与刚性基底之间界面来达到分离效果,在这种技术中,柔性装置和玻璃基板之间增加一层牺牲层来增强柔性装置和刚性基底之间的分离效果。由于柔性装置在制作的过程中需要采用高温工艺,因此需要牺牲层在300-400摄氏度的温度中保持原有的性能。这样就导致需要用高能量的激光来剥离,功耗较高。
发明内容
本发明的一个目的是降低刚性基底与制作好的柔性装置剥离的过程所需要使用的激光的能量。
本发明提供了一种柔性装置的制作方法,包括:
在刚性基底上形成牺牲层;
在至少一部分所述牺牲层之上形成反射层;
在所述牺牲层和所述反射层的上方制作柔性显示器件;
使用激光照射所述牺牲层,将刚性基底剥离。
进一步的,所述反射层的位置与所述柔性显示器件中的周边电路区域相对应。
进一步的,所述反射层覆盖全部的所述牺牲层。
进一步的,所述在刚性基底上形成牺牲层包括:
使用有机材料制作所述牺牲层。
进一步的,所述使用有机材料制作所述牺牲层具体为:
使用聚酰亚胺制作所述牺牲层。
进一步的,所述使用聚酰亚胺制作所述牺牲层包括:
在刚性基底上涂覆聚酰亚胺溶液;
对涂覆的聚酰亚胺溶液热固化形成牺牲层。
进一步的,在刚性基底上形成牺牲层之后,在所述牺牲层和所述反射层的上方制作柔性显示器件之前,所述方法还包括:在所述牺牲层和所述反射层之上形成柔性基底层;
在所述牺牲层和所述反射层的上方制作柔性显示器件,具体包括:在所述柔性基底层上制作柔性显示器件。
进一步的,所述在所述牺牲层和所述反射层之上形成柔性基底层包括:使用聚酰亚胺制作所述柔性基底层。
进一步的,所述在至少一部分所述牺牲层之上形成反射层包括:采用溅射工艺形成所述反射层。
本发明还提供了一种利用上述任一项所述的方法制作的柔性装置。
本发明中,由于在牺牲层上方还形成有反射层,能够在进行剥离时,将照射的激光反射回牺牲层,这样就增加了牺牲层所吸收的激光的能量。这样能够降低剥离过程中所需要使用的激光的能量。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的一种柔性装置的制作方法的流程示意图;
图2为在图1的步骤S1之后得到的中间结构的结构示意图;
图3为在图1的步骤S2之后得到的中间结构的结构示意图;
图4为在图1的步骤S3之后得到的中间结构的结构示意图;
图5为在图1的步骤S4中之后得到的柔性基板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他的实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明一实施例提供了一种柔性装置的制作方法,如图1所示,该方法可以包括如下流程:
步骤S1,在刚性基底上形成牺牲层;
步骤S2,在至少一部分所述牺牲层之上形成反射层;
步骤S3,在所述牺牲层和所述反射层的上方制作柔性显示器件;
步骤S4,使用激光照射所述牺牲层,将刚性基底剥离。
本发明实施例中,由于在牺牲层上方还形成有反射层,能够在进行剥离时,将照射的激光反射回牺牲层,这样就增加了牺牲层所吸收的激光的能量。这样能够降低剥离过程中所需要使用的激光的能量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造