[发明专利]操作存储器系统的非易失性存储器的方法

说明书

本发明提供了一种操作存储器系统的非易失性存储器(NVM)的方法，该方法包括以下步骤：计算从非易失性存储器的多个存储器块中将擦除块分配为自由块的连续分配之间的分配间隔；以及根据分配间隔调整所述多个存储器块的擦除块的数量。擦除块是所述多个存储器块中的具有被擦除的状态的存储器块，而自由块是擦除块中的被选择来写入数据的存储器块。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年3月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0035142的优先权，该申请的公开以引用方式并入本文中。

技术领域

本文描述的本发明构思涉及一种半导体存储器，并且更具体地涉及一种操作包含非易失性存储器和存储器控制器的存储器系统的方法。

背景技术

半导体存储器装置是一种利用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等的半导体制造的存储器装置。半导体存储器装置被划分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

易失性存储器装置在断电时会丢失存储的内容。易失性存储器装置包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存储器装置即使在断电时也可保持存储的内容。非易失性存储器装置包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除和可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器装置、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

一些非易失性存储器具有先擦后写特性，这意味着在数据能够被写到先前写有数据的位置之前，需要擦除先前已写的数据。例如，闪速存储器可具有先擦后写特性。然而，当在覆盖写入之前所执行的擦除耗时较长时，存储器装置的操作性能会下降。

发明内容

本发明构思的一个示例性实施例提供了一种操作存储器系统的非易失性存储器(NVM)的方法。所述方法包括步骤：计算从NVM的多个存储器块中将擦除块分配为自由块的连续分配之间的分配间隔；以及根据所述分配间隔调整所述多个存储器块的擦除块的数量，其中所述擦除块是所述多个存储器块中的具有被擦除的状态的存储器块，并且其中所述自由块是擦除块中的被选择来写入数据的存储器块。

在一个示例性实施例中，根据自由块的预定数量的最近分配来计算分配间隔。

在一个示例性实施例中，所述调整的步骤根据所述分配间隔的增大来减少所述擦除块的数量。

在一个示例性实施例中，所述调整的步骤根据所述分配间隔的减小来增加所述擦除块的数量。

在一个示例性实施例中，所述方法还包括步骤：当擦除无效块以产生第二擦除块时存储时间戳，其中所述无效块是所述多个存储器块中的存储无效数据并且通过将数据块设为无效而产生的存储器块，并且其中所述时间戳指示产生所述第二擦除块时的时间。

在一个示例性实施例中，所述方法还包括根据所述时间戳再擦除所述第二擦除块。

在一个示例性实施例中，当由所述时间戳指示的时间与当前时间之间的差超过阈值时再擦除所述第二擦除块。

在一个示例性实施例中，所述当前时间指示了发出将所述擦除块分配为自由块的请求时的时间。

在一个示例性实施例中，根据所述请求将被再擦除的第二擦除块分配为所述自由块。

在一个示例性实施例中，根据所述请求将与被再擦除的第二擦除块不同的擦除块分配为所述自由块。