[发明专利]基板处理设备

权利要求书

1.一种基板处理设备，其特征在于，包括：

腔室，所述腔室内具有工艺空间，所述工艺空间的上表面开放；

支撑单元，所述支撑单元设置在所述腔室中且配置为支撑基板；

介电板，所述介电板安装在所述腔室的开放的上表面上以覆盖所述开放的上表面；

气体供应单元，所述气体供应单元配置成供应所述腔室中的气体；

天线，所述天线设置在所述介电板的上方，且配置为用所述气体产生等离子体；

加热单元，所述加热单元设置在所述天线的上方且配置为加热所述介电板。

2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于，所述加热单元包括：

多个灯；和

辐射角限制单元，所述辐射角限制单元限制从所述灯入射到所述介电板的光的辐射角。

3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其特征在于，所述辐射角限制单元包括：

壳体，所述壳体具有围绕所述灯的侧部的侧壁，使得所述光不直接入射到所述天线上。

4.根据权利要求2所述的基板处理设备，其特征在于，所述辐射角限制单元包括具有侧壁和上壁的壳体，以提供底部开放的空间，且其中所述灯设置在所述空间中。

5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其特征在于，所述壳体配置为使得所述光不直接辐射到所述天线上。

6.根据权利要求3-5任一项所述的基板处理设备，其特征在于，所述壳体的内壁由反射所述光的材料形成。

7.根据权利要求3-5任一项所述的基板处理设备，其特征在于，所述壳体和所述灯形成为具有环形形状。

8.根据权利要求3-5任一项所述的基板处理设备，其特征在于，所述壳体形成为基于水平轴是可旋转的。

9.根据权利要求3-5任一项所述的基板处理设备，其特征在于，反射构件是可拆卸的，且安装在所述壳体的内表面上。

10.根据权利要求9所述的基板处理设备，其特征在于，所述反射构件包括第一反射构件和第二反射构件，

其中，所述第一反射构件和所述第二反射构件形成为具有不同的反射角，和

其中，从所述第一反射构件和所述第二反射构件中选出的一个安装在所述壳体上。

11.根据权利要求1-5任一项所述的基板处理设备，其特征在于，所述天线包括：

第一天线，所述第一天线配置为在所述腔室的中心区域产生所述等离子体；和

第二天线，所述第二天线设置为与所述第一天线的外侧间隔开，且配置成在所述腔室的边缘区域产生所述等离子体，和

其中，所述第一天线和所述第二天线形成为具有环形形状。

12.根据权利要求11所述的基板处理设备，其特征在于，所述加热单元包括：

第一加热单元，所述第一加热单元放置于所述第一天线和所述第二天线之间的区域的上方。

13.根据权利要求12所述的基板处理设备，其特征在于，所述加热单元还包括：

放置于所述第二天线的外侧的上方的第二加热单元。

14.根据权利要求13所述的基板处理设备，其特征在于，所述加热单元还包括：

置于所述第一天线的内侧的上方的第三加热单元。

15.根据权利要求1-5任一项所述的基板处理设备，其特征在于，还包括：

加热器，所述加热器配置为在所述介电板的侧部加热所述介电板。