[发明专利]保护膜、用于晶圆划片膜的基材薄膜及其制造方法

说明书

技术领域

本申请属于半导体技术领域，特别是涉及一种保护膜、用于晶圆划片膜的基材薄膜及其制造方法。

背景技术

目前的晶圆切割划片膜的基材薄膜一般是采用单一型号的聚乙烯并添加部分助剂聚合生成，其生产工艺一般是吹塑、流延、压延发生产，从而使这种基材膜的表面光滑洁净，颜色透明，或者是采用比较粗纹路的光棍进行表面处理而使表面颗粒状粗大，颜色偏白，但是这种基材生产出的晶圆划片膜强度一般不高，容易撕破；另外，由于表面过于光滑或者过于粗糙，而使后续再使用过程中很不方便。

在晶圆划片膜使用过程中，特别是针对UV型晶圆划片膜的使用过程中，由于拉伸强度过低，使晶圆在扩膜过程中容易由于划片膜的破损而导致晶粒散落；在贴膜的过程中，由于划片膜的表面过于光滑而使划片膜和压辊之间的产生“粘棍”的现象，从而使贴膜容易失败。

在晶圆划片膜使用过程中，特别是晶圆划片后在照射UV的过程中，由于划片膜的表面过于粗糙，表面颗粒度过大，从而使UV光的能量过分反射而达不到胶粘层从而使胶粘层的粘度固化不彻底或者固化时间过长，照射UV的时间过长或者粘度固化不彻底都会造成胶粘层的残胶。

发明内容

本发明的目的在于提供一种保护膜、用于晶圆划片膜的基材薄膜及其制造方法，以克服现有技术中针对晶圆划片过程中容易出现的破膜和残胶的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本申请实施例公开了一种用于晶圆划片膜的基材薄膜，该基材薄膜365nm 波长光的透光率大于30％小于90％；所述基材薄膜单面磨砂，且磨砂颗粒度直径不大于10μm；所述基材薄膜的拉伸强度在10N/in到92N/in；所述基材薄膜的伸长率380％到1930％。

优选的，在上述的用于晶圆划片膜的基材薄膜中，所述基材薄膜的材质选自聚烯烃和醋酸乙烯酯共聚物材料中的一种或多种的组合。

优选的，在上述的用于晶圆划片膜的基材薄膜中，所述基材薄膜的材质按照重量比包括5％～30％的低密度聚乙烯(LDPE)、10％～45％的线形低密度聚乙烯(LLDPE)、20％～50％的茂金属聚烯烃(MLDPE)、5％～35％的醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、0.1％～5％的助剂。

相应的，本申请实施例还公开了一种用于晶圆划片膜的基材薄膜的制造方法，包括：

(1)、物料混合，该物料按照重量比包括5％～30％的低密度聚乙烯(LDPE)、10％～45％的线形低密度聚乙烯(LLDPE)、20％～50％的茂金属聚烯烃(MLDPE)、5％～35％的醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、0.1％～5％的助剂；

(2)、将所述物料进行吹塑法或流延法制膜，同时采用颗粒度为0.1um到10um的压纹辊进行单面压纹。

优选的，在上述的用于晶圆划片膜的基材薄膜的制造方法中，所述物料按照重量比包括30％的低密度聚乙烯、20％的线形低密度聚乙烯、40％的茂金属聚烯烃、9％的醋酸乙烯酯共聚物、余量为助剂。

进一步地，所述助剂优选为开口剂或爽滑剂。

优选的，在上述的用于晶圆划片膜的基材薄膜的制造方法中，所述物料按照重量比包括18％的低密度聚乙烯、30％的线形低密度聚乙烯、30％的茂金属聚烯烃、20％的醋酸乙烯酯共聚物、余量为助剂。

本申请实施例还公开了一种保护膜，该保护膜365nm波长光的透光率大于30％小于90％；所述保护膜单面磨砂，且磨砂颗粒度直径不大于10μm；所述保护膜的拉伸强度在10N/in到92N/in；所述保护膜的伸长率380％到1930％。

相应地，本申请实施例还公开了一种保护膜的制造方法，包括：

(1)、物料混合，该物料按照重量比包括5％～30％的低密度聚乙烯(LDPE)、10％～45％的线形低密度聚乙烯(LLDPE)、20％～50％的茂金属聚烯烃(MLDPE)、5％～35％的醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、0.1％～5％的助剂；

(2)、将所述物料进行吹塑法或流延法制膜，同时采用纳米压辊进行单面压纹。

与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明所获得的基材薄膜由聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃材料中的一种或多种按比例聚合生成，相比一般的塑料薄膜做出的晶圆划片膜产品，这种薄膜做出的晶圆划片UV膜产品其优点是：1.需要的UV光能量更小；2.产品不会“粘棍”，3.产品不容易破膜和残胶。

具体实施方式