[发明专利]一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法

权利要求书

1.一种用于相变存储器的Sb-Te-Cr相变材料，其特征在于：所述Sb-Te-Cr相变材料的化学通式为Sb_xTe_yCr_100-x-y，其中x、y均指元素的原子百分比，且满足30<x<45，40<y<100-x。

2.根据权利要求1所述的用于相变存储器的Sb-Te-Cr相变材料，其特征在于：所述Sb_xTe_yCr_100-x-y中，满足x：y＝2：3，且Cr的原子百分比满足0<100-x-y<25。

3.根据权利要求2所述的用于相变存储器的Sb-Te-Cr相变材料，其特征在于：所述Sb_xTe_yCr_100-x-y中，Cr的原子百分比满足5<100-x-y<15。

4.一种相变存储器单元，其特征在于：所述相变存储器单元包括下电极层、上电极层及位于所述下电极层和上电极层之间的相变材料层；所述相变材料层采用Sb-Te-Cr相变材料，所述Sb-Te-Cr相变材料的化学通式为Sb_xTe_yCr_100-x-y，其中x、y均指元素的原子百分比，且满足30<x<45，40<y<100-x。

5.根据权利要求4所述的相变存储器单元，其特征在于：所述下电极层的材料包括：单金属材料W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu、Ni中的任意一种，或由所述单金属材料中的任意两种或多种组合成的合金材料，或所述单金属材料的氮化物或氧化物。

6.根据权利要求4所述的相变存储器单元，其特征在于：所述上电极层的材料包括：单金属材料W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu、Ni中的任意一种，或由所述单金属材料中的任意两种或多种组合成的合金材料，或所述单金属材料的氮化物或氧化物。

7.一种相变存储器单元的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成下电极层；

在所述下电极层上形成相变材料层；所述相变材料层采用Sb-Te-Cr相变材料，所述Sb-Te-Cr相变材料的化学通式为Sb_xTe_yCr_100-x-y，其中x、y均指元素的原子百分比，且满足30<x<45，40<y<100-x；

在所述相变材料层上形成上电极层；

在所述上电极层上形成引出电极，把所述上电极层、所述下电极层通过所述引出电极与器件单元的控制开关、驱动电路及外围电路集成。

8.根据权利要求7所述的相变存储器单元的制备方法，其特征在于：所述引出电极的材料包括：单金属材料W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu或Ni中的任意一种，或由所述单金属材料中的任意两种或多种组合成的合金材料。

9.根据权利要求7所述的相变存储器单元的制备方法，其特征在于：制备所述下电极层、所述相变材料层、所述上电极层及所述引出电极的方法包括：溅射法、蒸发法、化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法、金属化合物气相沉积法、分子束外延法、原子气相沉积法或原子层沉积法中的任意一种。