[发明专利]基板结构及其制作方法

权利要求书

1.一种基板结构，其特征在于，包括：

一可挠性基板；

一栅极线，配置于该可挠性基板上，

一栅极，电性连接该栅极线，且配置于该可挠性基板上；

一无机绝缘层，配置于该可挠性基板上且覆盖该栅极并暴露出部分该可挠性基板；

一半导体层，配置于该无机绝缘层上并与该栅极对应设置；

一源极与一漏极，由该无机绝缘层延伸配置于该半导体层上，其中该源极与该漏极暴露出部分该半导体层；

一无机保护层，配置于该源极与该漏极上且覆盖部分该源极与部分该漏极，并直接接触该源极与该漏极所暴露出的该半导体层；以及

一有机绝缘层，配置于该可挠性基板上且覆盖该源极、该漏极、该无机保护层以及该无机绝缘层所暴露出的该可挠性基板。

2.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，还包括：

一电容单元，配置于该可挠性基板上，该电容单元包括一第一导电层、一绝缘层以及一第二导电层，其中该第一导电层与该栅极属同一膜层，该绝缘层与该无机绝缘层属同一膜层，而该第二导电层与该源极及该漏极属同一膜层，且该有机绝缘层覆盖该电容单元。

3.根据权利要求2所述的基板结构，其特征在于，该有机绝缘层具有至少一第一开口、至少一第二开口以及至少一第三开口，该第一开口暴露出部分该源极，而该第二开口暴露出部分该漏极，且该第三开口暴露出部分该第二导电层。

4.根据权利要求3所述的基板结构，其特征在于，还包括：

一走线层，配置于该有机绝缘层上，其中该走线层通过该有机绝缘层的该第一开口、该第二开口及该第三开口与该源极、该漏极及该第二导电层电性连接；

一有机隔离层，配置于该有机绝缘层上且覆盖该有机绝缘层与该走线层，其中该有机隔离层具有至少一接触开口，而该接触开口对应该电容单元设置，且该接触开口暴露出部分该走线层；以及

一像素电极，配置于该有机隔离层上，其中该像素电极通过该有机隔离层的该接触开口与该走线层电性连接。

5.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该有机绝缘层具有至少一第一开口以及至少一第二开口，该第一开口暴露出部分该源极，而该第二开口暴露出部分该漏极。

6.根据权利要求5所述的基板结构，其特征在于，还包括：

一走线层，配置于该有机绝缘层上，其中该走线层通过该有机绝缘层的该第一开口及该第二开口与该源极与该漏极电性连接；以及

一电容单元，配置于该可挠性基板上，该电容单元包括一第一导电层、一绝缘层以及一第二导电层，其中该第一导电层与该栅极属同一膜层，而该绝缘层与该有机绝缘层属同一膜层，且该第二导电层与该走线层属同一膜层。

7.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该有机绝缘层覆盖该栅极线。

8.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该半导体层包括一通道层以及一位于该通道层上的欧姆接触层，该欧姆接触层暴露出部分该通道层。

9.一种基板结构的制作方法，其特征在于，包括：

在一可挠性基板上依序形成一电性连接一栅极线的栅极、一无机绝缘材料层以及一半导体材料层，其中该无机绝缘材料层完全覆盖该栅极与该可挠性基板，而该半导体材料层与该栅极对应设置；

形成一源极与一漏极于该无机绝缘材料层上，其中该源极与该漏极由该无机绝缘材料层延伸配置于该半导体材料层上，且该源极与该漏极暴露出部分该半导体材料层与部分该无机绝缘材料层；

移除部分被该源极与该漏极所暴露出的该半导体材料层，而定义出一半导体层；

形成一无机保护层于该源极与该漏极上，其中该无机保护层覆盖部分该源极与部分该漏极，并直接接触该半导体层；

在形成该无机保护层之后，移除该无机绝缘材料层，而暴露出部分该可挠性基板且定义出一无机绝缘层；以及

形成一有机绝缘层于该可挠性基板上，其中该有机绝缘层覆盖该源极、该漏极、该无机保护层以及该无机绝缘层所暴露出的该可挠性基板。