[发明专利]剥离装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号: | 201510127031.8 | 申请日: | 2007-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN104795361B | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
| 发明(设计)人: | 江口晋吾;门马洋平;谷敦弘;广末美佐子;桥本健一;保坂泰靖 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;B32B43/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 姜冰;姜甜 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 元件形成层 滚筒 加压 剥离层 薄膜 半导体装置 剥离装置 半导体元件 剥离 制造 衬底剥离 供应液体 液体扩散 电荷 静电 喷嘴 薄膜贴 衬底 放电 回收 | ||
1.一种剥离方法,包括:
通过第一传送带移动衬底,在所述衬底上形成了元件形成层;
通过供应用滚筒来供应膜;
通过第一滚筒将所述膜贴附到所述元件形成层;
通过第二滚筒移动所述膜;
通过第二传送带移动所述衬底,所述第二传送带的一部分在水槽中的液体中;
以相对所述液体的顶表面的倾斜角度将所述衬底插入所述水槽中的所述液体中;
通过回收用滚筒从所述衬底倾斜向上拉升所述膜;以及
在所述水槽中的所述液体中从所述衬底剥离所述元件形成层,使得所述元件形成层转移到所述膜。
2.如权利要求1所述的剥离方法,其中所述剥离产生于所述元件形成层和所述衬底上形成的剥离层之间。
3.如权利要求1所述的剥离方法,还包括从喷嘴向所述元件形成层所转移到的所述膜喷射干燥空气的步骤。
4.如权利要求1所述的剥离方法,其中所述衬底在所述元件形成层转移到所述膜之后落入所述液体。
5.如权利要求1所述的剥离方法,其中沿着所述第二滚筒的曲面使所述膜弯曲。
6.如权利要求1所述的剥离方法,其中在所述第二滚筒和所述第二传送带之间从所述衬底剥离所述元件形成层。
7.一种用于制造显示模块的方法,包括:
在衬底上形成剥离层;
在所述剥离层上形成元件层;
通过用激光照射所述元件层的部分来去除所述部分,由此在所述剥离层和所述元件层之间的界面引起剥离;
通过供应用滚筒来供应膜;
通过回收用滚筒来回收所述膜;
将所述膜贴附在第一滚筒和第二滚筒之间的所述元件层上;
通过所述供应用滚筒、所述回收用滚筒、所述第一滚筒和所述第二滚筒来移动所述膜;
将液体供应到引起所述剥离的部分;
从所述衬底分离所述元件层,其中所述分离随着所述供应用滚筒、所述回收用滚筒、所述第一滚筒和所述第二滚筒滚动而进行,并且随着所述分离的进行,所述分离界面被供应有所述液体;以及
在所分离的元件层吹送干燥空气。
8.一种用于制造显示模块的方法,包括:
在衬底上形成剥离层;
在所述剥离层上形成元件层;
去除所述元件层的部分,由此在所述剥离层和所述元件层之间的界面引起剥离;
通过供应用滚筒来供应膜;
通过回收用滚筒来回收所述膜;
将所述膜贴附在第一滚筒和第二滚筒之间的所述元件层上;
通过所述供应用滚筒、所述回收用滚筒、所述第一滚筒和所述第二滚筒来移动所述膜;
将液体供应到引起所述剥离的部分;
从所述衬底分离所述元件层,其中所述分离随着所述供应用滚筒、所述回收用滚筒、所述第一滚筒和所述第二滚筒滚动而进行,并且随着所述分离的进行,所述分离界面被供应有所述液体;以及
在所分离的元件层吹送干燥空气。
9.如权利要求7或8所述的方法,其中所述剥离层包括含有金属的金属膜,所述金属选自钨、钼、钛、钽、铌、镍、钴、锆、锌、钌、铑、钯、锇和铱或它们的合金。
10.如权利要求7或8所述的方法,其中所述液体是水。
11.如权利要求7或8所述的方法,其中所述膜在所述剥离被引起之后被贴附在所述元件层之上。
12.如权利要求7或8所述的方法,还包括:氧化所述剥离层的表面。
13.如权利要求7或8所述的方法,其中所述显示模块是EL模块。
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