[发明专利]相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法有效

专利信息
申请号: 201510126616.8 申请日: 2015-03-20
公开(公告)号: CN104808433B 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 王丹;于世瑞 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 王宏婧
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 相邻 两个 电位 光学 临近 修正 方法
【权利要求书】:

1.一种相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法,其特征在于包括:在对通孔执行光学临近修正之前根据所述相邻两个通孔与同一个下层金属线且分别与两个不同上层金属线相连来判断所述相邻两个通孔是同电位关系,并且在相邻两个通孔是同电位关系的情况下将所述相邻两个通孔合并以形成合并通孔;随后再对通孔进行光学临近修正。

2.根据权利要求1所述的相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法,其特征在于,其中在相邻两个通孔不是同电位关系的情况下,不将所述相邻两个通孔合并。

3.根据权利要求1所述的相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法,其特征在于,所述两个不同上层金属线是相邻的两个上层金属线。

4.根据权利要求1或2所述的相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法,其特征在于,所述上层金属线和所述下层金属线是与通孔层连接的相邻两层金属线。

5.根据权利要求1或2所述的相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法,其特征在于,所述相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法用于提高光刻工艺中的同电位通孔的光刻工艺窗口。

6.根据权利要求1或2所述的相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法,其特征在于,所述相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法用于提高电路的响应频率。

7.根据权利要求1或2所述的相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法,其特征在于,所述相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法用于制造集成电路。

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