[发明专利]形成多鳍结构场发射晶体管的方法在审
| 申请号： | 201510125943.1 | 申请日： | 2015-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104701184A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 结构 发射 晶体管 方法 | ||
1.一种形成多鳍结构场发射晶体管的方法，其特征在于包括：
依次形成绝缘体层、硅层和第一硬掩膜层；
形成第一硬掩膜层的掩膜图案；
沉积第二硬掩膜层，并且对第二硬掩膜层进行刻蚀以便在掩膜图案的侧壁上形成掩膜侧壁；
利用掩膜图案和掩膜侧壁对硅层进行第一次刻蚀，从而在掩膜侧壁外侧形成硅层中的凹槽；
去除掩膜图案；
利用掩膜侧壁对硅层进行第二次刻蚀，从而完全去除凹槽下方的硅层，并且在与掩膜图案相对应的位置形成鳍结构凹槽，从而获取硅层经过第一次刻蚀和第二次刻蚀之后得到的U型结构。
2.根据权利要求1所述的形成多鳍结构场发射晶体管的方法，其特征在于还包括：去除掩膜侧壁。
3.根据权利要求1或2所述的形成多鳍结构场发射晶体管的方法，其特征在于，第一次刻蚀得到的凹槽的深度不小于10nm。
4.根据权利要求1或2所述的形成多鳍结构场发射晶体管的方法，其特征在于，第一次刻蚀得到的凹槽的深度等于鳍的宽度。
5.根据权利要求1或2所述的形成多鳍结构场发射晶体管的方法，其特征在于，第一硬掩膜层的材料是选自SiN、SiON、SiO2、TiN、BN、无定形碳的单层。
6.根据权利要求1或2所述的形成多鳍结构场发射晶体管的方法，其特征在于，第一硬掩膜层的材料是由SiN、SiON、SiO2、TiN、BN、无定形碳中的两种或多种形成的多层结构。
7.根据权利要求1或2所述的形成多鳍结构场发射晶体管的方法，其特征在于，第二硬掩膜层的材料是选自SiN、SiON、SiO2、TiN、BN、无定形碳等的单层。
8.根据权利要求1或2所述的形成多鳍结构场发射晶体管的方法，其特征在于，第二硬掩膜层的材料是由SiN、SiON、SiO2、TiN、BN、无定形碳中的两种或多种形成的多层结构。
9.根据权利要求1或2所述的形成多鳍结构场发射晶体管的方法，其特征在于，一个U型结构的U形沟道的只连接到一个源漏焊盘上。
10.根据权利要求1或2所述的形成多鳍结构场发射晶体管的方法，其特征在于，多个U形沟道连接在同一个源漏焊盘上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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