[发明专利]一种改进型压差法在硅微通道内壁上液流沉积薄膜的方法和装置

权利要求书

1.一种改进型压差法在硅微通道内壁上液流沉积薄膜的装置，其特征在于：包括容器；所述的容器由隔板将腔体分隔成两个腔体：第一腔体和第二腔体；第一腔体和第二腔体之间的隔板上设置有连通两个腔体的卡槽；所述的卡槽上放置有硅微通道；在第一腔体和第二腔体之间设置有循环泵，其中，循环泵的进水口设置于第二腔体的底部，出水口设置于第一腔体的上方；所述的第一腔体内注有进行液流沉积的镀液。

2.一种改进型压差法在硅微通道内壁上液流沉积薄膜的方法，其特征在于：其步骤如下：

(1)将硅通道板切割成与卡槽的横截面相吻合的形状大小；

(2)将硅微通道板放入卡槽中并加以固定，并检验液体是否会从卡槽边缘的缝隙中漏出；

(3)把液流沉积的镀液倒入第一腔体中，由于液体压差，镀液(镀液为氯化镍、氯化铵、次亚磷酸钠、去离子水的混合溶液)会由第一腔体通过硅微通道流入空置的第二腔体；

(4)开启循环泵，使循环泵不断的抽出流入第二腔体中的镀液至第一腔体中；

(5)根据所需沉积的薄膜的厚度，沉积时间控制在15分钟至30分钟之间，沉积完成后，倒出液流沉积的镀液，取出硅微通道；获得的硅微通道内壁上均匀的沉积有一层薄膜，沉积薄膜的厚度范围为100纳米-2微米，且沉积薄膜的厚度由沉积时间、液面高度差及温度等多种因素。

3.根据权利要求1所述的一种改进型压差法在硅微通道内壁上液流沉积薄膜的方法，其特征在于：

所述的镀液为的浓度在0.2mol/L-0.5mol/L之间的氯化镍、浓度在0.7mol/L-1mol/L之间的氯化铵、浓度在0.07mol/L-0.1mol/L之间的次亚磷酸钠和去离子水的混合溶液。