[发明专利]一种碳化硅器件的栅槽制作方法

权利要求书

1.一种碳化硅器件的栅槽制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：清洗碳化硅外延片；

第二步：在碳化硅外延片上表面生成第一介质层；

第三步：在第一介质层上表面生成第二介质层；

第四步：在第二介质层上表面涂覆光刻胶，并在第二介质层上表面中部光刻显影出第一栅槽区域窗口；

第五步：采用光刻技术，将第一栅槽区域窗口与第一介质层之间的第二介质层刻蚀掉，去除光刻胶；

第六步：采用刻蚀技术，将第一栅槽区域窗口下的第一介质层部分刻蚀掉；

第七步：采用腐蚀技术，将第一栅槽区域窗口与碳化硅外延片之间的第一介质层腐蚀掉，形成第二栅槽区域窗口；所述第二栅槽区域窗口两侧的第一介质层与碳化硅外延片上表面的连接处为圆弧过渡；

第八步：采用刻蚀技术，对第二栅槽区域窗口下的碳化硅外延片进行刻蚀，形成栅槽区域。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅器件的栅槽制作方法，其特征在于，所述第一介质层为SiO₂或SiN。

3.根据权利要求2所述的一种碳化硅器件的栅槽制作方法，其特征在于，所述第二介质层为非晶硅或单晶硅。