[发明专利]一种非对称超级电容器制备方法

权利要求书

1.一种非对称超级电容器制备方法，其特征在于包括以下步骤：

S1：选取两片硅片作为基底，清洗硅片基底并烘干；

S2：将清洗烘干后的硅片基底进行氧化，在硅片基底表面形成二氧化硅氧化膜作为电极的绝缘层；

S3：在形成绝缘层的其中一片硅片基底的表面通过沉积形成一层金属钛层；

S4：将S3中形成的钛层放入阳极氧化装置中进行氧化，形成TiO₂纳米管；

S5：在形成的TiO₂纳米管内沉积NiO，形成TiO₂纳米管电极；

S6：在S2中得到的表面形成绝缘层的另一硅片上均匀旋涂光刻胶；

S7：将旋涂好的光刻胶进行前烘、曝光、后烘、显影处理，形成六面体柱状阵列；

S8：将六面体柱状阵列放入炭化炉中进行炭化，得到炭化电极；

S9：将活性物质电极与炭化电极通过PP膜隔开，并注入KOH电解质组装成非对称超级电容器。

2.根据权利要求1所述的一种非对称超级电容器制备方法，其特征在于包括以下步骤：硅片基底氧化为干氧氧化或湿氧氧化，形成的绝缘层厚度为1.5微米。

3.根据权利要求1或2所述的一种非对称超级电容器制备方法，其特征在于钛层厚度为400nm。

4.根据权利要求1或2所述的一种非对称超级电容器制备方法，其特征在于阳极氧化电解液为0.05wt%的HF水溶液，氧化过程中阳极为钛电极，阴极为铂电极，形成的TiO₂纳米管的厚度为150nm。

5.根据权利要求1或2所述的一种非对称超级电容器制备方法，其特征在于所述沉积为恒电流电沉积，时间为20分钟。

6.根据权利要求1或2所述的一种非对称超级电容器制备方法，其特征在于所述光刻胶为负胶SU-8，旋涂厚度为200微米。