[发明专利]一种基于微处理器I/O口的驱动电路有效
| 申请号： | 201510118495.2 | 申请日： | 2015-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN104731728B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 谷宇 | 申请（专利权）人： | 深圳市航天新源科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/20 | 分类号： | G06F13/20 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)44248 | 代理人： | 刘显扬,胡玉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 微处理器 驱动 电路 | ||
1.一种基于微处理器I/O口的驱动电路，其特征在于：包括微处理器、微处理器的输出端口IN1和微处理器的输出端口IN2，所述输出端口IN1通过电容C1来连接二极管D3的阴极，该二极管D3的阳极连接MOSFET管Q1的栅极；二极管D1的阴极连接二极管D2的阳极，二极管D3的阴极连接所述二极管D1的阳极；所述输出端口IN2通过电容C2来连接二极管D1的阴极，电容C3的负极连接所述二极管D3的阳极，电容C3的正极连接所述二极管D2的阴极；电阻R2的一端连接所述MOSFET管Q1的栅极，另一端连接所述电容C3的正极；所述MOSFET管Q1的源极连接所述电容C3的正极，漏极通过电阻R1连接供电端；所述微处理器的输入端连接电源,所述微处理器的一输出端接地，所述电容C3的正极接地。
2.根据权利要求1所述的基于微处理器I/O口的驱动电路，其特征在于：二极管D1、二极管D2和二极管D3都为肖特基二极管。
3.根据权利要求2所述的基于微处理器I/O口的驱动电路，其特征在于：所述输出端口IN1和输出端口IN2的供电电压为所述微处理器的输入电压VSS，所述输出端口IN1和输出端口IN2输出占空比为50%的互补PWM波。
4.根据权利要求3所述的基于微处理器I/O口的驱动电路，其特征在于：MOSFET管Q1为N沟道耗尽型MOSFET。
5.根据权利要求4所述的基于微处理器I/O口的驱动电路，其特征在于：所述MOSFET管Q1的材质为Si、SiC、GaN中任意一种。
6.根据权利要求5所述的基于微处理器I/O口的驱动电路，其特征在于：所述MOSFET管Q1的夹断电压高于-Vss。
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