[发明专利]一种彩膜基板的制作方法、彩膜基板以及液晶显示面板有效
| 申请号: | 201510117726.8 | 申请日: | 2015-03-18 |
| 公开(公告)号: | CN104793391B | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
| 发明(设计)人: | 谢畅 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 彩膜基板 制作方法 以及 液晶显示 面板 | ||
1.一种彩膜基板的制作方法,其特征在于,所述彩膜基板的制作方法包括:
提供一基板,所述基板包括彩膜区域、W子像素区域、以及黑色矩阵区域;
在所述基板的整个表面上均涂覆一第一OC层;
对所述第一OC层进行曝光、显影、以及刻蚀工艺操作,保留所述W子像素区域的所述第一OC层,其他区域的所述第一OC层均去除;
在所述基板上沉积一黑色矩阵层;沉积的所述黑色矩阵层的厚度与所述W子像素区域的所述第一OC层的厚度相同;
对所述黑色矩阵层进行曝光、显影、以及刻蚀工艺操作,保留所述黑色矩阵区域的所述黑色矩阵层,其他区域的所述黑色矩阵层均去除;
在所述基板上的所述彩膜区域涂布RGB色阻层,以形成RGB彩膜,其中,所述RGB彩膜的厚度、所述黑色矩阵区域的所述黑色矩阵层的厚度、以及所述W子像素区域的所述第一OC层的厚度均相同;
在所述基板上整体涂覆平坦的第二OC层;以及
在所述第二OC层上沉积透明金属层,以形成透明电极。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板的制作方法,其特征在于,在所述基板上涂覆第二OC层的步骤,具体包括:
在所述彩膜区域的所述RGB色阻层上、所述黑色矩阵区域的所述黑色矩阵层上、以及所述W子像素区域的所述第一OC层上均涂覆所述第二OC层。
3.根据权利要求1所述的彩膜基板的制作方法,其特征在于,所述彩膜基板的一个像素对应一个R彩膜、一个G彩膜、一个B彩膜、以及一个W子像素。
4.一种包括如权利要求1至3任一项所述的彩膜基板的制作方法的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板包括:
一基板,所述基板包括彩膜区域、W子像素区域、以及黑色矩阵区域;
一第一OC层,设置于所述基板上的所述W子像素区域;
一黑色矩阵层,设置于所述基板上的所述黑色矩阵区域;所述黑色矩阵层的厚度与所述W子像素区域的所述第一OC层的厚度相同;
一RGB色阻层,设置于所述基板上的所述彩膜区域;
一第二OC层,设置于所述彩膜区域的所述RGB色阻层上、所述黑色矩阵区域的所述黑色矩阵层上、以及所述W子像素区域的所述第一OC层上;所述第二OC层为整面涂覆且平坦的第二OC层;
一透明金属层,设置于所述第二OC层上;
其中,所述RGB彩膜的厚度与所述W子像素区域的所述第一OC层的厚度相同。
5.根据权利要求4所述的彩膜基板,其特征在于,所述RGB彩膜的厚度、所述黑色矩阵区域的所述黑色矩阵层的厚度、以及所述W子像素区域的所述第一OC层的厚度均相同。
6.根据权利要求4所述的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板的一个像素对应一个R彩膜、一个G彩膜、一个B彩膜、以及一个W子像素。
7.一种包括如权利要求1至3任一项所述的彩膜基板的制作方法的液晶显示面板,其特征在于,所述液晶显示面板包括:阵列基板、彩膜基板、以及设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层;
其中,所述彩膜基板包括:
一基板,所述基板包括彩膜区域、W子像素区域、以及黑色矩阵区域;
一第一OC层,设置于所述基板上的所述W子像素区域;
一黑色矩阵层,设置于所述基板上的所述黑色矩阵区域;所述黑色矩阵层的厚度与所述W子像素区域的所述第一OC层的厚度相同;
一RGB色阻层,设置于所述基板上的所述彩膜区域;
一第二OC层,设置于所述彩膜区域的所述RGB色阻层上、所述黑色矩阵区域的所述黑色矩阵层上、以及所述W子像素区域的所述第一OC层上;所述第二OC层为整面涂覆且平坦的第二OC层;
一透明金属层,设置于所述第二OC层上;
其中,所述RGB彩膜的厚度与所述W子像素区域的所述第一OC层的厚度相同。
8.根据权利要求7所述的液晶显示面板,其特征在于,所述RGB彩膜的厚度、所述黑色矩阵区域的所述黑色矩阵层的厚度、以及所述W子像素区域的所述第一OC层的厚度均相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510117726.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





