[发明专利]一种电容式压力传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种电容式压力传感器，其特征在于包括具有球冠状凹坑（8）的下极板和平板状上极板，下极板自下而上包括硅衬底（1）、第一导电层（2）及第一绝缘层（3），上极板自下而上包括第二绝缘层（4）、第二导电层（5）及第三绝缘层（6），上极板置于下极板上，下极板的第一绝缘层（3）与上极板的第二绝缘层（4）间形成密封的球冠状腔体，下极板的球冠状凹坑（8）底部具有圆柱形盲孔（7），球冠状凹坑（8）开口半径为圆柱形盲孔（7）直径的20-50倍，圆柱形盲孔（7）深宽比大于3。

2.根据权利要求1所述的一种电容式压力传感器，其特征在于所述的第一导电层（2）为金属或者掺杂的硅。

3.根据权利要求1所述的一种电容式压力传感器，其特征在于所述的第二导电层（5）为金属或者掺杂的硅。

4.制备如权利要求1所述的电容式压力传感器的方法，其特征在于包括如下步骤：

1）在洁净的硅衬底上刻蚀一圆柱形盲孔（7），圆柱形盲孔（7）深宽比大于3；

2）在上述衬底上沉积钝化层，以圆柱形盲孔（7）为圆心，在硅衬底上制作球冠状凹坑（8），使球冠状凹坑开口半径为圆柱形盲孔直径的20-50倍，对球冠状凹坑表面抛光；

3）腐蚀去除钝化层，在上述硅衬底表面进行掺杂或者沉积金属形成第一导电层（2），再在第一导电层（2）上制作第一绝缘层（3），获得下极板；

4）在另一洁净的硅衬底表面进行掺杂或者沉积金属制作第二导电层（5），再在第二导电层（5）上制作第二绝缘层（4）；

5）将步骤4）的结构翻转置于下极板的第一绝缘层（3）上，利用键合工艺使第一、第二绝缘层（3、4）间形成密封的球冠状腔体；

6）腐蚀去除步骤5）结构中的上层硅衬底，在暴露出的第二导电层（5）上制作第三绝缘层（6）。