[发明专利]一种表面增强拉曼散射基底及其制备方法

权利要求书

1.一种表面增强拉曼散射基底，其特征在于，在基片表面设置银纳米棒阵列，银纳米棒阵列表面设置非晶态氧化物薄膜。

2.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述基片为硅基片或玻璃基片。

3.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述非晶态氧化物薄膜为氧化铝薄膜或氧化钛薄膜。

4.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述非晶态氧化物薄膜的厚度为2nm～5nm。

5.如权利要求1-4任意一项权利要求所述的表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：

(1)在基片表面制备银纳米棒阵列，得到纯银基底；

(2)采用原子层沉积技术在纯银基底的银纳米棒阵列表面均匀沉积一层非晶态氧化物薄膜，得到表面增强拉曼散射基底。

6.根据权利要求5所述的表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述制备银纳米棒阵列的方法为：将基片固定在电子束蒸发镀膜机的样品台上，调整电子束的入射角为85°～88°，并使样品台旋转或静止，以金属银为靶材，在基片上垂直或倾斜生长长度为200nm～500nm的银纳米棒阵列。

7.根据权利要求5所述的表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述采用原子层沉积技术沉积氧化物薄膜的方法为：将纯银基底放入原子层沉积反应腔体中部，三甲基铝或四二甲氨基钛在氮气的携带下进入反应腔，然后用氮气吹洗，水在氮气的携带下进入反应腔，再次用氮气吹洗，以上为一次循环过程；重复上述循环过程3～6次。

8.根据权利要求7所述的表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于，所述循环过程的氮气流量为15sccm，反应温度为50℃～80℃，循环时间为30s～40s。