[发明专利]P型埋层覆盖型半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 201510112078.7 | 申请日： | 2015-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104716190B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;董超;范玮;杨银堂;朱樟明;李春来;马剑冲 | 申请（专利权）人： | 西安后羿半导体科技有限公司;西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 型埋层 覆盖 型半超结 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
1.P型埋层覆盖型半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：
P型衬底；
位于所述P型衬底上N型外延层表面的P型基区；
位于所述P型基区部分表面的N型源区；
半超级结区，包括N型柱区和P型柱区；该半超级结区的N型底端辅助层位于所述P型衬底上N型外延层的表面并与P型基区邻接；
位于半超级结区部分表面的N型漏区；
其特征在于：
所述N型底端辅助层的表面主要分为具有高度差的三部分，按照由低到高的顺序，第一部分的表面上为注入的所述N型柱区和P型柱区，第二部分和半超级结区余下部分的表面覆盖有与N型漏区邻接的P型掺杂埋层，第三部分与P型基区邻接，并将P型基区与P型掺杂埋层隔离。
2.根据权利要求1所述的P型埋层覆盖型半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述N型底端辅助层的表面为阶梯形式体现所述高度差。
3.根据权利要求1所述的P型埋层覆盖型半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述半超级结区采用N型柱区与P型柱区横向周期间隔排放，各个N型柱区的宽度相同，各个P型柱区的宽度相同。
4.根据权利要求1所述的P型埋层覆盖型半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述P型掺杂埋层的横截面和/或纵截面为规则图形。
5.根据权利要求4所述的P型埋层覆盖型半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述规则图形为圆形或矩形。
6.根据权利要求1所述的P型埋层覆盖型半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述P型掺杂埋层的浓度是均匀的。
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