[发明专利]电能管理电路和用于操作电能管理电路的方法

权利要求书

1.一种电能管理电路，包括：

多个电能切换模块，与多个电源一一对应，每个电能切换模块由相应电源供电，其中，每个电能切换模块包括：

锁存电路，被配置为在相应电源上电时具有确定状态；

逻辑电路，包括交叉耦合电路和开关单元，所述交叉耦合电路被配置为响应于所述锁存电路的所述确定状态向所述开关单元提供第一控制信号，以通过所述开关单元控制相应电源的电能向所述电能管理电路的输出的供应；以及

缓冲电路，被配置为响应于所述锁存电路的所述确定状态向所述开关单元提供具有时间延迟的第二控制信号，

其中，所述具有时间延迟的第二控制信号使得在从相应电源连接到所述电能管理电路的输出转换到另一个电源连接到所述电能管理电路的输出期间，先将所述另一个电源连接到所述电能管理电路的输出之后再将所述相应电源与所述电能管理电路的输出断开连接。

2.根据权利要求1所述的电能管理电路，其中每个电能切换模块的锁存电路包括背靠背反相器锁存电路，其中所述背靠背反相器锁存电路包括背靠背连接的两个反相器。

3.根据权利要求2所述的电能管理电路，其中每个反相器包括PMOS晶体管和NMOS晶体管，并且其中所述PMOS晶体管的栅极端子连接到所述NMOS晶体管的漏极端子。

4.根据权利要求1所述的电能管理电路，其中所述逻辑电路被配置为防止电源之间的交叉导电。

5.根据权利要求4所述的电能管理电路，其中所述交叉耦合电路包括第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管之间的节点连接到所述第二PMOS晶体管的漏极端子或源极端子，并且其中所述第二PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管之间的节点连接到所述第一NMOS晶体管的漏极端子或源极端子。

6.根据权利要求5所述的电能管理电路，其中在每个电能切换模块内，所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管的栅极端子连接到所述锁存电路的端子，并且其中所述第二PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的栅极端子连接到另一个电能切换模块的锁存电路。

7.根据权利要求4所述的电能管理电路，其中所述交叉耦合电路包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和NMOS晶体管，并且其中所述第一PMOS晶体管的源极端子或漏极端子连接到所述第二PMOS晶体管漏极端子或源极端子。

8.根据权利要求7所述的电能管理电路，其中在每个电能切换模块内，所述第一PMOS晶体管的栅极端子连接到所述锁存电路的端子，并且其中所述第二PMOS晶体管和所述NMOS晶体管的栅极端子连接到另一个电能切换模块的锁存电路。

9.根据权利要求4所述的电能管理电路，其中所述逻辑电路还包括连接到相应电源的切换电路。

10.根据权利要求1所述的电能管理电路，其中所述逻辑电路被配置为将相应电源连接到所述电能管理电路的输出端子，或者将相应电源连接与所述电能管理电路的输出端子断开连接。

11.根据权利要求1所述的电能管理电路，其中所述多个电源包括电池电源或无线电源。

12.根据权利要求1所述的电能管理电路，其中所述多个电源包括无线电源和电池电源。

13.一种集成电路(IC)，包括：

根据权利要求1所述的电能管理电路；以及

电池电源。