[发明专利]倒装多结太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.倒装多结太阳能电池的制作方法，包括步骤：

（1）提供一生长衬底，用于半导体材料的外延生长；

（2）将所述生长衬底置于MOCVD设备中，在所述衬底上方采用MOCVD方法倒装生长第一外延结构，其具有多结子电池叠层；

（3）将上述生长完成结构转移至MBE设备中，采用MBE方法在其上倒装形成第二外延结构，其至少包含一结子电池，形成串联倒装多结太阳能电池；

其中第一外延结构的带隙大于第二外延结构的带隙。

2.根据权利要求1所述的倒装多结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述步骤（2）形成的第一外延结构还包括一形成于其顶面上的转移隔离层，在进行步骤（3）前，先去除所述转移隔离层，进行表面清洗，抛光至可直接外延状态（Epi-ready状态），然后将上述结构立即转移到MBE设备中进行步骤（3）。

3.根据权利要求2所述的倒装多结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述步骤（2）包括下面子步骤：

在所述生长衬底上形成刻蚀截止层；

在所述刻蚀截止层上方采用MOCVD方法倒装生长具有宽带隙的多结子电池叠层，用于吸收短波端太阳光；

在所述宽带隙多结子电池上形成转移隔离层，用以完成第一次外延生长后切换至MBE设备过程中隔离外界的大气氧化、硫化、有机污染、杂质吸附、水蒸气吸附，在进行下一次外延之前将其连同表面杂质一起腐蚀掉，从而起到保护其下功能层的作用。

4.根据权利要求3所述的倒装多结太阳能电池的制作方法，其特征在于：在完成步骤（2）后，采用选择蚀刻液蚀刻去除所述转移隔离层，并进行表面清洗，抛光至可直接外延状态（Epi-ready状态），然后将上述结构立即转移到MBE设备中进行步骤（3）。

5.根据权利要求1所述的倒装多结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述采用MBE形成的第二外延结构的晶格常数与采用MOCVD形成的第一外延结构的晶格匹配。

6.根据权利要求1所述的倒装多结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述步骤（2）的生长温度高于步骤（3）的生长温度。

7.根据权利要求1所述的倒装多结太阳能电池的制作方法，其特征在于：还包括步骤（4）：对形成的倒装多结太阳能电池的外延结构的进行表面清洗、抛光，并键合支撑衬底、去除所述生长衬底、制作电极结构，实现倒装多结太阳能电池。

8.一种倒装多结太阳能电池，其特征在于：采用权利要求1~7中所述的任意一种制作方法制备获得。

9.根据权利要求8所述的一种倒装多结太阳能电池，其特征在于：所述第一外延结构的晶格常数与第二外延结构的晶格常数匹配。