[发明专利]折射率分布测量方法、测量装置及制造光学元件的方法无效

专利信息
申请号: 201510109857.1 申请日: 2015-03-13
公开(公告)号: CN104914071A 公开(公告)日: 2015-09-16
发明(设计)人: 加藤正磨 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: G01N21/41 分类号: G01N21/41;G02B27/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 宋岩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 折射率 分布 测量方法 测量 装置 制造 光学 元件 方法
【权利要求书】:

1.一种折射率分布测量方法,其特征在于,包括以下步骤:

测量被检物的透射波阵面;

基于所述透射波阵面的测量结果确定所述被检物的第一折射率分布;

基于与所述被检物的第二折射率分布相关的信息确定所述透射波阵面的光的透射方向上的第三折射率分布;及

基于第一折射率分布和第三折射率分布计算所述被检物的三维折射率分布。

2.如权利要求1所述的折射率分布测量方法,还包括基于第一折射率分布获得加权函数的步骤,

其特征在于,所述三维折射率分布是通过使用所述加权函数计算的。

3.如权利要求2所述的折射率分布测量方法,

其特征在于,所述加权函数是依赖于第一折射率分布和第一折射率分布的变化量中的至少一个的函数。

4.如权利要求1所述的折射率分布测量方法,

其特征在于,第三折射率分布是所述光的透射方向上的积分值是零的分布。

5.如权利要求1所述的折射率分布测量方法,

其特征在于,与第二折射率分布相关的信息是基于透射通过参照被检物的切断面的光的透射波阵面的折射率分布的测量值。

6.如权利要求1所述的折射率分布测量方法,

其特征在于,测量所述被检物的透射波阵面的步骤包括以下步骤:

在光进入第一介质中的所述被检物的情况下测量所述被检物的第一透射波阵面,第一介质具有比所述被检物的折射率小的第一折射率,及

在光进入第二介质中的所述被检物的情况下测量所述被检物的第二透射波阵面,第二介质具有比所述被检物的折射率小并且与第一折射率不同的第二折射率,并且

确定所述被检物的第一折射率分布的步骤包括基于第一透射波阵面和第二透射波阵面的测量结果除去所述被检物的形状成分的步骤。

7.如权利要求1所述的折射率分布测量方法,

其特征在于,测量所述被检物的透射波阵面的步骤包括以下步骤:

在具有第一波长的光进入介质中的所述被检物的情况下测量所述被检物的第一透射波阵面,所述介质具有与所述被检物的折射率不同的折射率,及

在具有第二波长的光进入所述介质中的所述被检物的情况下测量所述被检物的第二透射波阵面,第二波长与第一波长不同,并且

确定所述被检物的第一折射率分布的步骤包括基于第一透射波阵面和第二透射波阵面的测量结果除去所述被检物的形状成分的步骤。

8.如权利要求1所述的折射率分布测量方法,

其特征在于,第一折射率分布是在所述被检物的径向方向上的折射率分布投影值。

9.如权利要求1所述的折射率分布测量方法,

其特征在于,与第二折射率分布相关的信息是基于所述被检物的形状的折射率分布函数。

10.一种折射率分布测量装置,包括:

测量单元,配置为测量被检物的透射波阵面;及

处理单元,配置为计算所述被检物的三维折射率分布,

其特征在于,所述处理单元配置为:

基于所述测量单元对所述透射波阵面的测量结果确定所述被检物的第一折射率分布,

基于与所述被检物的第二折射率分布相关的信息确定所述透射波阵面的光的透射方向上的第三折射率分布,及

基于第一折射率分布和第三折射率分布计算所述被检物的三维折射率分布。

11.如权利要求10所述的折射率分布测量装置,

其特征在于,所述测量单元包括剪切干涉仪或夏克-哈特曼传感器。

12.一种制造光学元件的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:

模制光学元件;及

通过使用如权利要求1至9中任一项所述的折射率分布测量方法来测量作为所述被检物的所述光学元件的折射率分布以评价所述光学元件。

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