[发明专利]逐次逼近型模数转换器及其比较器输入管的电容补偿电路有效
| 申请号： | 201510108658.9 | 申请日： | 2015-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104702289B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 徐代果;徐世六;陈光炳;王育新;付东兵;刘涛;刘璐 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H03M1/38 | 分类号： | H03M1/38 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 逐次 逼近 型模数 转换器 及其 比较 输入 电容 补偿 电路 | ||
1.一种比较器输入管的电容补偿电路，其特征在于，包括至少一个反相器、MOS管及控制开关，其中，所述控制开关包括第一接线端、第二接线端及供触发所述第一接线端和第二接线端连接或断开的控制端，所述MOS管的栅极连接所述控制开关的第一接线端，所述MOS管的源级和漏极同时接电源端，所述反相器的输出端连接所述控制开关的控制端，所述反相器的输入端和所述开关的第二接线端共同连接比较器输入管连接输入电压所在端；
其中，所述MOS管的栅极和所述比较器的栅极通过控制开关相连，且所述MOS管的栅极与反相器的输入端相连。
2.根据权利要求1所述的比较器输入管的电容补偿电路，其特征在于，所述MOS管为PMOS管。
3.根据权利要求1或2所述的比较器输入管的电容补偿电路，其特征在于，所述反相器为CMOS反相器。
4.根据权利要求1所述的比较器输入管的电容补偿电路，其特征在于，所述MOS管为PMOS管，且将所述PMOS管作为第一PMOS管，所述反相器由第二PMOS管和一NMOS管构成，所述第二PMOS管的栅极和所述NMOS管的栅极共同连接并作为所述反相器的输入端，所述第二PMOS管的漏极和所述NMOS管的漏极共同连接并作为所述反相器的输出端，所述第二PMOS管的源极连接电源端，所述NMOS管的源极连接公共接地端。
5.一种逐次逼近型模数转换器，其特征在于，所述逐次逼近型模数转换器中的比较器输入端的正、负接线上各设有权利要求1-4中任意一种电容补偿电路，以在所述比较器输入端的输入电压变化时补偿于所述比较器输入端产生的第一寄生电容和第二寄生电容，且所述第一寄生电容和第二寄生电容相等并保持为一个恒定值。
6.根据权利要求5所述的逐次逼近型模数转换器，其特征在于，所述逐次逼近型模数转换器集成为一集成电路芯片。
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