[发明专利]上电保护电路和电子设备

权利要求书

1.一种上电保护电路，其特征在于：

该上电保护电路包括第一级保护电路，该第一级保护电路包括电压输入端，电压输出端，以及接地端，在所述电压输入端和接地端之间依次连接有第一电容C1和第一电阻R1；由第一PMOS晶体管M1、第二电阻R2、第一二极管串组成的并联电路连接在所述电压输入端和电压输出端之间，其中所述第一PMOS晶体管M1的源极与所述电压输入端连接，漏极与所述电压输出端连接，栅极连接于所述第一电容C1和第一电阻R1之间，在所述接地端和电压输出端之间连接有一负载，

该上电保护电路为多级保护电路，其中第二级保护电路包括依次连接于所述电压输入端和接地端之间的第二电容C2和第三电阻R3，串联连接的第二二极管串和第二PMOS晶体管M2连接在所述电压输入端和电压输出端之间，所述第二PMOS晶体管M2的源极与第二二极管串连接，漏极与所述电压输出端连接，栅极连接于所述第二电容C2和第三电阻R3之间。

2.如权利要求1所述的上电保护电路，其特征在于，其中所述第一二极管串由首尾相连的n个二极管组成，所述第二二极管串由首尾相连的m个二极管组成，其中n>m。

3.一种如权利要求1所述的上电保护电路的上电启动方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)向上电保护电路的电压输入端施加电源信号，T1时刻，该电压输入端的输入电压VIN由零快速上升到VMAX，此时，第一PMOS管的栅极电压VG1和第二PMOS管的栅极电压VG2都接近VMAX，第一、第二PMOS管均关断，第一二极管串导通；

(2)T1时刻到T2时刻，电源通过第二电阻给所述负载充电，所述电压输出端的输出电压缓慢升高，第一二极管串关断，同时，所述第一、第二PMOS管的栅极电压缓慢降低；

(3)T2时刻，第二PMOS管导通，所述输出电压继续被抬高；

(4)T2时刻到T3时刻，电源电压通过第二二极管串以及第二电阻继续给负载充电，所述输出电压缓慢升高，同时第一PMOS管的栅极电压继续降低；

(5)T3时刻，第一PMOS管的栅极电压继续降低，PMOS管导通，第二级保护电路被关断，所述输出电压的值最终被抬高至VMAX。

4.如权利要求3所述的上电启动方法，其特征在于，T1时刻，所述输出电压的值上升到VIN-nVon，其中Von为所述第一二极管串中单个二极管的导通电压，n为二极管的数量。

5.如权利要求3所述的上电启动方法，其特征在于，T2时刻，第二PMOS管的栅极电压VG2降至VIN-mVon-Vthp，所述输出电压被抬高至VIN-mVon，其中Von为所述第二二极管串中单个二极管的导通电压，m为二极管的数量，Vthp为第二PMOS管的阈值电压；T3时刻，第一PMOS管的栅极电压VG1降至VIN-Vthp，其中Vthp为第一PMOS管的阈值电压。

6.一种上电保护电路的上电启动方法，其特征在于，该保护电路包括多级保护电路，该多级保护电路包括权利要求1所述的上电保护电路，上电过程中，该多级保护电路先后被导通，从而电路的输出电压被缓慢地阶梯式被抬高。

7.一种电子设备，其具有如权利要求1-2中任一项所述的上电保护电路。