[发明专利]半导体器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请主张2014年7月16日于韩国知识产权局所提交的韩国申请第10-2014-0089995号的优先权，通过引用将该韩国专利申请整体并入本文中，如同在本文进行了完整的阐述。

技术领域

本公开的实施方式有关于具有贯通电极的半导体器件、制造该半导体器件的方法、包含该半导体器件的电子系统以及包含该半导体器件的存储卡。

背景技术

被用在电子系统中的半导体器件可包含各种的电子电路元件，并且这些电子电路元件可以和半导体基板集成以构成半导体器件，半导体器件可被称为半导体芯片或是半导体小片(die)。在将包含存储器半导体芯片的半导体器件用在电子系统中之前，半导体器件可被囊封以具有封装形式。这些半导体封装可被用在诸如计算机、移动系统或数据存储媒体之类的电子系统中。

随着诸如智能电话之类的移动系统变得更轻而且更小，被用在移动系统中的半导体封装已经持续逐步地缩小。此外，大型电容性半导体封装随着多功能移动系统的发展而需求渐增。为了支持缩小，已经努力尝试将多个半导体器件设置在单一封装中，以提供诸如堆叠封装之类的大型电容性半导体封装。另外，已经提出了贯穿半导体芯片的直通硅穿孔(TSV)电极，以实现在单一堆叠封装中将这些半导体芯片彼此电连接的互连路径。

发明内容

各种的实施方式针对于具有贯通电极(throughelectrode)的半导体器件、制造该半导体器件的方法、包含该半导体器件的电子系统以及包含该半导体器件的存储卡。

根据一实施方式，一种半导体器件包含：具有不平坦表面的芯片主体，该不平坦表面包含彼此在不同的高度的至少两个区域；贯通电极，该贯通电极贯穿芯片主体并且具有通过芯片主体的不平坦表面露出的端部；设置在芯片主体的不平坦表面上的钝化(passivation)层；以及设置在钝化层及贯通电极的露出的端部上并且与芯片主体的不平坦表面交叠的凸块。

根据另一实施方式，一种制造半导体器件的方法包含如下步骤：形成贯穿具有不平坦表面的芯片主体的贯通电极，以使得一端部从芯片主体的不平坦表面突出，在芯片主体的不平坦表面以及贯通电极的突出的端部上形成一钝化层，平坦化贯通电极的突出的端部以在钝化层的顶表面露出贯通电极，以及在贯通电极及钝化层上形成凸块，其中凸块与芯片主体的不平坦表面交叠，并且其中芯片主体的不平坦表面包含设置在不同的高度的至少两个区域。

根据另一实施方式，一种电子系统包含半导体器件。该半导体器件包含：具有不平坦表面的芯片主体，该不平坦表面包含彼此在不同的高度的至少两个区域；贯通电极，该贯通电极贯穿芯片主体并且具有通过芯片主体的不平坦表面露出的端部；设置在芯片主体的不平坦表面上的钝化层；以及设置在钝化层以及贯通电极的露出的端部上并且与芯片主体的不平坦表面交叠的凸块。

根据另一实施方式，一种存储卡包含半导体器件。该半导体器件包含：具有不平坦表面的芯片主体，该不平坦表面包含彼此在不同的高度的至少两个区域；贯通电极，该贯通电极贯穿芯片主体并且具有通过芯片主体的不平坦表面露出的端部；设置在芯片主体的不平坦表面上的钝化层；以及设置在钝化层以及贯通电极的露出的端部上并且与芯片主体的不平坦表面交叠的凸块。

附记：

附记1、一种半导体器件，所述半导体器件包括：

芯片主体，所述芯片主体具有不平坦表面，所述不平坦表面包含彼此在不同的高度的至少两个区域；

贯通电极，所述贯通电极贯穿芯片主体并且具有通过所述芯片主体的所述不平坦表面露出的端部；预定的

钝化层，所述钝化层设置在所述芯片主体的所述不平坦表面上；以及

凸块，所述凸块设置在所述钝化层以及所述贯通电极的露出的端部上，并且与所述芯片主体的所述不平坦表面交叠。

附记2、根据附记1所述的半导体器件，所述半导体器件进一步包括设置在所述芯片主体的与所述不平坦表面相反的表面上的有源层。

附记3、根据附记1所述的半导体器件，其中，所述芯片主体的所述不平坦表面包括：

第一区域以及第三区域，所述第一区域以及所述第三区域设置在第一高度；以及

第二区域，所述第二区域以低于所述第一高度的第二高度而被设置在所述第一区域和所述第三区域之间。

附记4、根据附记3所述的半导体器件，其中，所述第二区域由距所述第一高度具有预定的深度的沟槽所限定。

附记5、根据附记3所述的半导体器件，其中，所述贯通电极的所述露出的端部位于所述第一区域的中央部分。