[发明专利]硅片表面不平整度测量方法

权利要求书

1.一种硅片表面不平整度的测量系统，该测量系统包括：由铝膜(1)、石英玻璃基片(2)、玻璃垫圈(3)、硅片(4)部件组成的双面金属包覆波导超高阶导模共振激发结构A和由紫外激光器(5)、扩束镜(6)、和面阵CCD探测器(7)部件组成的光电发射与信号探测模块B，其特征为：

1)铝膜(1)沉积在石英玻璃基片(2)的表面；

2)玻璃垫圈(3)与石英玻璃基片(2)由光胶技术粘合，使铝膜(1)、石英玻璃基片(2)和玻璃垫圈(3)结合为一体；

3)把铝膜(1)、石英玻璃基片(2)和玻璃垫圈(3)胶合后的结构，直接放于待测硅片表面，使其紧密接触，构成双面金属包覆波导超高阶导模共振激发结构A，石英玻璃基片(2)的厚度为500μm，而玻璃垫圈(3)的厚度为300μm，两者之和为800μm，即是双面金属包覆波导导波层的厚度；

4)紫外激光器(5)发射的光经过扩束镜(6)后，成为平行光，并以一小角度入射于铝膜(1)的表面；

5)反射光投影到光强测量装置——面阵CCD探测器(7)；

6)在一定角度范围内连续变化激光入射角度，并同时记录反射光强，形成反射率——入射角度曲线，确定一超高阶导模的衰减全反射(ATR)吸收峰下降沿的中点处作为固定的入射角，观察反射光斑中的光强分布，根据光强分布确定硅片表面的平整度。

2.根据权利要求1所述的硅片表面不平整度的测量系统，其特征在于：所述的石英玻璃基片(2)的材料为光学石英玻璃，其厚度为500μm，折射率范围为1.44～1.46之间。

3.根据权利要求1所述的硅片表面不平整度的测量系统，其特征在于：所述的紫外激光器(5)的波长为λ＝244nm。

4.根据权利要求1所述的硅片表面不平整度的测量系统，其特征在于：所述的铝膜(1)的厚度为14nm～16nm。

5.根据权利要求1所述的硅片表面不平整度的测量系统，其特征在于：所述的玻璃垫圈(3)厚度为300μm。

6.根据权利要求1所述的硅片表面不平整度的测量系统，其特征在于：所述的硅片平整度测量的分辨率为1.0nm。