[发明专利]微流控芯片的检测电极制作及它的电泳非接触式电导检测系统制备

权利要求书

1.一种微流控芯片电泳非接触式电导检测系统，包括以下制备步骤：

(1)制作微芯片通道盖板：取液态高分子聚合物浇注在微流控芯片复形模具上，加热，待液态高聚物充分固化后，与模具剥离，即得到有内凹通道的微流控芯片通道盖板；

(2)清洗薄膜电极板：用碱液清洗导电薄膜检测电极的基底后用超纯水清洗残留溶液并干燥；

(3)封接芯片：用氧等离子体处理微流控芯片通道盖板表面；将微流控芯片通道盖板有凹口的一面与所述的导电薄膜检测电极的基底无薄膜电极的一侧封接，得到需要的微流控芯片电泳非接触式电导检测系统；

所述的微流控芯片复形模具的制作包括以下制备步骤：

A.贴膜和压膜：在非曝光的条件下，将感光性干膜贴合于经过清洗干燥的基片上，通过塑封机使两者紧密结合；

B.曝光：将光刻掩膜紧贴于感光性干膜上，通过曝光，则光刻掩膜图案所透射的光使其下面的感光性干膜变性；

C.显影：通过显影液对感光性干膜进行显影，使得光刻掩膜图案以外的感光性干膜部分将被清洗掉，清洗残留的显影液并干燥，得到所需的复形模具；

所述的导电薄膜检测电极是在电绝缘层基底上设有导电薄膜，包括以下制备步骤：

(1)贴膜和压膜：在非曝光的条件下，将光敏材料涂布或贴合在导电薄膜层上；通过塑封机使光敏材料和导电薄膜紧密贴合；

(2)曝光：将光刻掩膜紧贴于光敏材料上，曝光，则光刻掩膜图案所透射的光使其下面的光敏材料变性；

(3)显影：采用显影液对光敏材料进行显影，光刻掩膜图案以外的光敏材料部分被清洗掉；清洗残留的显影液；

(4)刻蚀：将经过显影后的材料放入刻蚀液中对导电薄膜进行化学刻蚀，光敏材料所覆盖图案以外的导电薄膜部分被蚀刻掉；清洗残留的刻蚀液；

(5)去除光敏材料：将刻蚀后所得的光敏材料-导电薄膜材料放入可去除光敏材料的溶液中，显影的光敏材料被去除掉；最后清洗残留的溶液并干燥，得到所需的导电薄膜检测电极。

2.根据权利要求1所述的微流控芯片电泳非接触式电导检测系统，其特征在于，所述光敏材料为紫外光致抗蚀剂。

3.根据权利要求2所述的微流控芯片电泳非接触式电导检测系统，其特征在于，所述紫外光致抗蚀剂为紫外液相光刻胶或感光性干膜；所述导电薄膜为透明导电薄膜。

4.根据权利要求3所述的微流控芯片电泳非接触式电导检测系统，其特征在于，所述紫外液相光刻胶为SU-8系列光刻胶、KPR胶或AZ胶。

5.根据权利要求3所述的微流控芯片电泳非接触式电导检测系统，其特征在于，所述感光性干膜为杜邦系列干膜、旭化成干膜、日立干膜、长兴干膜、任知干膜或鸿瑞干膜。

6.根据权利要求3所述的微流控芯片电泳非接触式电导检测系统，其特征在于，所述透明导电薄膜为石墨烯膜、氧化铟薄膜、氧化锡薄膜、氧化锌薄膜或二氧化钛薄膜；所述氧化铟薄膜为氧化铟锡薄膜、掺钼氧化铟薄膜、掺钨氧化铟薄膜或掺铋氧化铟薄膜。

7.根据权利要求1所述的微流控芯片电泳非接触式电导检测系统，其特征在于，所述光刻掩膜为菲林片或玻璃感光片制成，掩膜图案由图形处理软件绘制得到；电绝缘层基底为聚对苯二甲酸乙二酯基板、聚乙烯膜、玻璃中的一种。

8.根据权利要求1所述的微流控芯片电泳非接触式电导检测系统，其特征在于，所述A步中基片为玻璃、聚对苯二甲酸乙二酯塑料或聚甲基丙烯酸甲酯；所述感光性干膜为抗蚀刻干膜或为溶剂型干膜或水溶性干膜。

9.根据权利要求8所述的微流控芯片电泳非接触式电导检测系统，其特征在于，所述感光性干膜为杜邦系列干膜、旭化成干膜、日立干膜、长兴干膜、任知干膜或鸿瑞干膜。

10.根据权利要求8所述的微流控芯片电泳非接触式电导检测系统，其特征在于，通过重复步骤A和步骤B，从而获得具有多层结构的微流控芯片基片模具。