[发明专利]运用事件相关电位仪辅助筛查轻度认知障碍的方法

权利要求书

1.一种运用事件相关电位仪辅助筛查轻度认知障碍的方法，其特征在于，包括下述步骤：

a.根据Petersen(1999)的轻度认知障碍诊断标准，判断患者是否为轻度认知障碍的患者；

b.使用编程软件E-prime在计算机上呈现情绪面孔图片，让可疑为轻度认知损害的被试者进行情绪面孔记忆，分别让轻度认知损害患者学习三类情绪面孔(正性面孔，中性面孔，负性面孔)各50张，在第一次学习时让被试对每个面孔的情绪类型进行分类，并对分类错误的照片给予纠正，以后每隔30分钟浏览温习一遍面孔照片，共学习四次；

c.在末次学习完成1小时后，进行学习效果测试，即再认测试，将学习过的面孔和未学习过的面孔按1:1的比例混合，随机呈现给被试，请被试逐个进行区分，在被试进行图片辨别任务的同时，采用事件相关电位仪记录其脑电；

d.在次日，在与c步骤中的时间的同一时间，将记忆过的面孔和新面孔(前面没有看见过)按1:1比例混合随机呈现，让被试再次判断该面孔是否浏览过。在被试进行区分任务的同时，采用事件相关电位仪记录脑电；

e.采用scan 4.3对脑电数据进行预处理，提取的事件相关电位成份主要有N170，早期新旧效应(300-500ms)和晚期的新旧效应(500-800ms)等三个指标，并采用Spss统计软件包分析上述四个指标在24小时内变化；

f.被试的再认的精确度越低，事件相关电位成份(N170成份、早期新旧效应、晚期的新旧效应)学习完成24小时后与刚完成时相比，如果该被试的比值越小，表明其为轻度认知损害的可能越大。

2.如权利要求1所述的一种运用事件相关电位仪辅助筛查轻度认知障碍的方法，其特征在于，所述a步骤中，判断患者是否为轻度认知障碍的标准有如下几点：

a)经常为忘事烦恼；b)被试出现与受教育程度、年龄不相称的记忆损害；c)被试的一般的认知功能正常；d)被试的日常生活能力正常；e)没有痴呆表现。

3.如权利要求1所述的一种运用事件相关电位仪辅助筛查轻度认知障碍的方法，其特征在于，所述步骤c、d中，使用事件相关电位仪收集被试脑电时，主要参数设置如下：

电极帽按国际10/20系统电极安置法放置电极，采用64导联电极帽，记录PO7，PO8，Fz，Cz，Pz电极的脑电图,参考电极置于左耳后单侧乳突，左眼上下2个电极记录垂直眼电(VEOG),两眼外侧2个电极记录水平眼电(HEOG)，接地点位于Fpz点和Fz点连线的中点，连续记录时滤波带通为0.05-100Hz,采样率为500Hz，每个电极与头皮之间的电阻均小于5KΩ。

4.如权利要求1所述的一种运用事件相关电位仪辅助筛查轻度认知障碍的方法，其特征在于，所述步骤e中，在对脑电数据进行预处理过程中，主要有以下几个要点：

截取每个刺激呈现前100ms到呈现后800ms的脑电，以回归法自动校正眼电伪迹,并剔除波幅超过±75μV的脑电,滤波带通为0.05-40Hz；

N170分析PO8和PO7两个电极，平均波幅取值范围在160到240ms之间，新旧效应共选取3个电极进行分析。早期新旧效应分析时间窗为300～500ms，晚期新旧效应分析500～800ms。

5.如权利要求1所述的一种运用事件相关电位仪辅助筛查轻度认知障碍的方法，其特征在于，所述步骤f中，被试在学习阶段的精确度，事件相关电位成份(N170成份、早期新旧效应、晚期的新旧效应)学习完成24小时后与刚完成时的比值计算方法如下：

被试的精确度，用X1表示：击中率减去虚报率，所述击中率是指被试正确再认学习过的图片的概率；虚报率是指被试把未学习过的面孔说成学习过的概率；

X1＝p[hits]-p[false positives]

所述p[hits]表示击中率，所述p[false positives]表示虚报率。

N170波幅和潜伏期，用X2表示：该指标反应被试在学习完成24小时后再认时的脑电图的变化，N170潜伏期计算时不考虑新面孔和旧面孔的差异，N170波幅计算时使用学习过的“旧面孔”波幅值减去未学习过的“新面孔”，将其差值作为每个对应电极的最终值；

X2=[PO7(FA/BA)+PO8(FA/BA)]/2+[PO7(FL/BL)+PO8(FL/BL)]/22]]>

各公式中各字母含义如下：波幅-A；潜伏期-L；第一次测试-B；第二次测试-F；电极PO7点-PO7；电极PO8点-PO8；F_A表示第二次测试波幅，其余类同；

早期新旧效应(用X3表示)：该指标主要反应被试在辨认学习过的旧图片和未学习过的新图片时，在300ms-500ms引起的早期新旧效应，在该指标的原始值计时，先计算出每个电极在300ms-500ms的平均波幅，再用旧面孔与新面孔的差值作为该电极的最终值：

X3=[Fz(FN/BN)+CZ(FN/BN)+PZ(FN/BN)]+[Fz(FP/BP)+CZ(FP/BP)+PZ(FP/BP)][Fz(FC/BC)+CZ(FC/BC)+PZ(FC/BC)]*2]]>

(注释，各公式中各字母含义如下：正性面孔-P；负性面孔-N；中性面孔-C；潜伏期-L；第一次测试-B；第二次测试-F；电极Fz点-Fz；电极Cz点-Cz；电极Pz点-Pz；F_N表示负性面孔第二次测试时的300ms-500ms平均波幅；Fz(F_N/B_N)表示在脑区Fz点，第二次测试时负性面孔与第一次测试时负性面孔平均波幅的比值，其余类似)；

晚期新旧效应(用X4表示)：该指标主要反应被试在辨认学习过的旧图片和未学习过的新图片时，在500ms-800ms引起的晚期新旧效应。在该指标的原始值计时，先计算出每个电极在500ms-800ms的平均波幅，再用旧面孔与新面孔的差值作为该电极的最终值；

X4=[Fz(FN/BN)+CZ(FN/BN)+Pz(FN/BN)]+[Fz(FN/BN)+CZ(FN/BN)+PZ(FN/BN)][Fz(FC/BC)+CZ(FC/BA.C)+PZ(FC/BC)]*2]]>

(注释，各公式中各字母含义如下：正性面孔-P；负性面孔-N；中性面孔-C；第一次测试-B；第二次测试-F；电极Fz点-Fz；电极Cz点-Cz；电极Pz点-Pz；F_N表示负性面孔第二次测试时的500ms-800ms平均波幅；Fz(F_N/B_N)表示在脑区Fz点，第二次测试时负性面孔与第一次测试时负性面孔平均波幅的比值，其余类似)。