[发明专利]一种采用相变材料设计的非易失性显示单元和显示阵列有效
| 申请号: | 201510101243.9 | 申请日: | 2015-03-09 |
| 公开(公告)号: | CN104730796B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
| 发明(设计)人: | 吕延标;程志渊 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
| 主分类号: | G02F1/155 | 分类号: | G02F1/155;G02F1/153 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人: | 邱启旺 |
| 地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 采用 相变 材料 设计 非易失性 显示 单元 阵列 | ||
1.一种采用相变材料设计的非易失性显示单元,其特征在于,所述单元由一个或多个相变结构和沉积于相变结构两侧的导电电极组成,所述相变结构由多个相变材料层叠加组成,各个相变材料层的相变电压阈值互不相同。
2.根据权利要求1所述的一种采用相变材料设计的非易失性显示单元,其特征在于,相变材料层为第主族元素与第~主族元素组成的合金化合物。
3.根据权利要求2所述的一种采用相变材料设计的非易失性显示单元,其特征在于,所述第主族元素选自Te或Se;所述第~主族元素选自Ge、Si、Sb中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种采用相变材料设计的非易失性显示单元,其特征在于,相变材料层的厚度小于200nm。
5.根据权利要求1所述的一种采用相变材料设计的非易失性显示单元,其特征在于,所述导电电极的材料为第~主族元素中的一种形成的单质或多种按照任意配比组成的化合物。
6.根据权利要求5所述的一种采用相变材料设计的非易失性显示单元,其特征在于,所述导电电极的材料为ITO、石墨烯、氧化锌等。
7.根据权利要求1所述的一种采用相变材料设计的非易失性显示单元,其特征在于,导电电极的厚度小于200nm。
8.一种采用相变材料设计的非易失性显示阵列,其特征在于,所述显示阵列由多个显示单元排列组成,所述显示单元为权利要求1所述的显示单元。
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