[发明专利]芯片排列方法

说明书

本发明提供一种能够以高精度排列芯片的芯片排列方法。芯片排列方法将多个芯片(19)排列于晶片(11)上，构成为包括：槽形成步骤，在晶片的正面(11a)侧形成交叉的多个槽(13)，这多个槽(13)分别划分出芯片载置区域(15)；液体供给步骤，对芯片载置区域供给液体(17)；芯片载置步骤，在实施了液体供给步骤后，将芯片载置于液体上并通过液体的表面张力将芯片定位于芯片载置区域上；以及液体去除步骤，在实施了芯片载置步骤后，去除液体，从而使多个芯片排列于晶片上。

技术领域

本发明涉及用于排列多个芯片的芯片排列方法。

背景技术

近些年来，开始了使用晶片尺寸的重布线技术，在器件芯片(芯片)外形成重布线层的被称作FOWLP(Fan-Out Wafer Level Package：扩散型晶圆级封装)的封装的制造(例如，参照专利文献1)。FOWLP在薄膜的布线层进行芯片与封装基板的连接，因此相比使用引线接合等的现有封装而言更有利于实现小型化。

在FOWLP的制造时，例如可采用被称作先芯片(Chip-first)法的工艺。在先芯片法中，首先通过树脂等密封以任意间隔排列的芯片并形成类晶片，在该类晶片上设置布线层。此后，沿着芯片间的分割预定线分割类晶片，从而能够获得多个封装。

此外，还可以采用被称作先RDL(Redistribution Layer-first)法的工艺，具体是将芯片排列于设置了布线层的支撑晶片上并通过树脂等密封，此后去除支撑晶片并分割为多个封装。根据该先RDL法，例如能够避开布线层的不良部分排列芯片，因此相比先芯片法而言易于提升成品率。

专利文献1日本特开2013-58520号公报

然而，在上述先芯片法和先RDL法中，为了可靠地实现与高密度形成的布线层的连接，需要以较高精度排列芯片。然而，用于排列芯片的移载装置例如是以各芯片的外周缘为基准判定移载前的位置的，并确定移载后的位置，因此有时会在移载后的芯片的位置上产生数10μm左右的偏差。

发明内容

本发明就是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于，提供一种能够以高精度排列芯片的芯片排列方法。

本发明提供一种芯片排列方法，将多个芯片排列于晶片上，其特征在于，包括：槽形成步骤，在晶片的正面侧形成交叉的多个槽，这多个槽分别划分出芯片载置区域；液体供给步骤，对该芯片载置区域供给液体；芯片载置步骤，在实施了该液体供给步骤后，将芯片载置于该液体上，并通过该液体的表面张力将芯片定位于该芯片载置区域上；以及液体去除步骤，在实施了该芯片载置步骤后，去除该液体，从而将多个芯片排列于该晶片上。

此外，本发明优选构成为，该液体去除步骤是通过将借助于该液体而载置有多个芯片的晶片载置于真空中而实施的。

此外，本发明优选构成为，该液体包含将芯片固定于该晶片上的粘接剂成分。

在本发明的芯片排列方法中，在晶片的正面侧形成划分出芯片载置区域的多个槽，然后对该芯片载置区域供给液体并载置芯片，因此被载置的芯片凭借液体的表面张力而定位于芯片载置区域上。

此后，如果去除了芯片载置区域的液体，则能够将多个芯片排列于晶片上。如上，根据本发明的芯片排列方法，能够利用液体的表面张力，以高精度排列芯片。

附图说明

图1的(A)是示意性表示第1实施方式的槽形成步骤的立体图，图1的(B)是示意性表示槽形成步骤的截面图。

图2是示意性表示第1实施方式的液体供给步骤的截面图。

图3的(A)是示意性表示第1实施方式的芯片载置步骤的截面图，图3的(B)是示意性表示芯片定位于芯片载置区域的状态的截面图。

图4是示意性表示第1实施方式的液体去除步骤的截面图。