[发明专利]一种改进的双能CT成像方法及装置

权利要求书

1.一种改进的双能CT成像方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)用改进的双能CT成像装置对扫描对象进行扫描，单层探测器的左半部分采集到低能投影数据，单层探测器的右半部分采集到高能投影数据；

(2)根据CT扫描投影数据的共轭投影原理，由单层探测器的左半部分采集到的低能投影数据得到等效的单层探测器的右半部分的低能投影数据，由单层探测器的右半部分采集到的高能投影数据得到等效的单层探测器的左半部分的高能投影数据，从而得到整个单层探测器的高能投影数据和低能投影数据；

(3)双能图像重建，得到扫描对象的物理参数。

2.根据权利要求1所述的改进的双能CT成像方法，其特征在于，所述步骤(3)中的双能图像重建的方法采用预处理重建算法、后处理重建算法、迭代重建算法中的任一种。

3.一种改进的双能CT成像装置，其特征在于，包括射线源、射线源控制器、旋转机构、运动控制器、单层探测器、金属过滤片、数据采集控制器、主控制计算机，所述主控制计算机分别与射线源控制器、运动控制器、数据采集控制器相连，所述射线源控制器与所述射线源相连，所述运动控制器与所述旋转机构相连，所述数据采集控制器与所述单层探测器相连，所述单层探测器包括左半部分和右半部分，所述金属过滤片位于所述单层探测器的右半部分与所述射线源之间且与所述单层探测器的右半部分互相平行。

4.根据权利要求3所述的改进的双能CT成像装置，其特征在于，所述单层探测器的左半部分包括低能探元和第一数据采集电路板，所述单层探测器的右半部分包括高能探元和第二数据采集电路板，所述低能探元包括低能晶体和第一二极管，所述高能探元包括高能晶体和第二二极管。

5.根据权利要求4所述的改进的双能CT成像装置，其特征在于，所述第一数据采集电路板和第二数据采集电路板均与所述数据采集控制器相连。

6.根据权利要求4所述的改进的双能CT成像装置，其特征在于，所述高能晶体比低能晶体厚，所述高能晶体和低能晶体为闪烁晶体Gd₂O₂S、CsI、CdWO₄中的任一种。

7.根据权利要求3所述的改进的双能CT成像装置，其特征在于，所述单层探测器的左半部分和右半部分的分界线位于所述射线源的中心射束经过旋转机构的旋转中心的直线上。

8.根据权利要求3所述的改进的双能CT成像装置，其特征在于，所述金属过滤片在所述射线源的射线的投影下覆盖所述单层探测器的右半部分；所述金属过滤片的材料为铜或钨。

9.根据权利要求3所述的改进的双能CT成像装置，其特征在于，所述旋转机构为转台或带有滑环的机架。

10.根据权利要求3所述的改进的双能CT成像装置，其特征在于，所述单层探测器为直线型或弧型，所述单层探测器的布置方式为线阵或面阵。