[发明专利]翻转栅极基准电流源及使用方法

权利要求书

1.一种基准电流源，包括：

跟踪电压生成器，所述跟踪电压生成器包括：

翻转栅极晶体管；

第一晶体管，所述第一晶体管具有第一漏电流，所述第一晶体管以Vgs减去布置与所述翻转栅极晶体管连接；

输出节点，被配置为输出跟踪电压，所述跟踪电压具有非零的温度依赖性；

第二晶体管，连接至所述输出节点，所述第二晶体管具有第二漏电流；

放大器，被配置为接收所述跟踪电压并且输出放大信号；

控制晶体管，被配置为接收所述放大信号并且引导基准电流通过所述控制晶体管；以及

控制电阻器，与所述控制晶体管串联连接，

其中，所述控制电阻器的电阻的温度依赖性基本等于所述跟踪电压的温度依赖性，从而所述基准电流保持恒定，

其中，所述Vgs减去布置是指所述跟踪电压等于所述翻转栅极晶体管的Vgs电压减去所述第一晶体管的Vgs电压。

2.根据权利要求1所述的基准电流源，其中，所述控制电阻器的电阻具有负温度系数。

3.根据权利要求1所述的基准电流源，其中，所述控制电阻器的电阻具有正温度系数。

4.根据权利要求1所述的基准电流源，还包括：电流镜，所述电流镜被配置为接收所述基准电流并且将所述基准电流镜像至至少一个外部器件。

5.根据权利要求4所述的基准电流源，其中，所述电流镜包括：

第一镜像晶体管，被配置为接收所述基准电流，其中，所述第一镜像晶体管连接至操作电压；以及

第二镜像晶体管，被配置为将所述基准电流镜像至所述至少一个外部器件，其中，所述第二镜像晶体管连接至所述操作电压。

6.根据权利要求4所述的基准电流源，其中，所述电流镜包括：

第一镜像晶体管，被配置为接收所述基准电流；

第一镜像电阻器，连接在操作电压和所述第一镜像晶体管之间；

第二镜像晶体管，被配置为将所述基准电流镜像至所述至少一个外部器件；以及

第二镜像电阻器，连接在所述第二镜像晶体管和所述操作电压之间。

7.根据权利要求1所述的基准电流源，其中，所述跟踪电压生成器还包括箱区域，所述箱区域被配置为在所述第一晶体管的漏极端处提供电压电平，以使所述第一漏电流保持为基本等于所述第二漏电流。

8.根据权利要求1所述的基准电流源，其中，所述放大器还被配置为接收来自位于所述控制晶体管和所述控制电阻器之间的节点处的反馈电压。

9.根据权利要求1所述的基准电流源，其中，所述跟踪电压生成器还包括：电流镜区域，被配置为向所述放大器提供偏置电压。

10.根据权利要求1所述的基准电流源，其中，所述跟踪电压生成器还包括被配置为生成第一电流的启动和电流发生区域。

11.一种基准电流源，包括：

跟踪电压生成器，所述跟踪电压生成器包括：

翻转栅极晶体管；

第一晶体管，所述第一晶体管具有第一漏电流，其中，所述第一晶体管以Vgs减去布置与所述翻转栅极晶体管连接；

输出节点，被配置为输出跟踪电压，所述跟踪电压具有非零的温度依赖性；

第二晶体管，连接至所述输出节点，所述第二晶体管具有第二漏电流；

放大器，被配置为接收所述跟踪电压并且输出放大信号；

控制晶体管，被配置为接收所述放大信号；

控制电阻器，与所述控制晶体管串联连接；以及

电流镜，被配置为基于所述控制晶体管的导电性而接收基准电流，其中，所述电流镜还被配置为将所述基准电流镜像至至少一个外部器件；

其中，所述控制电阻器的电阻的温度依赖性基本等于所述跟踪电压的温度依赖性，从而所述基准电流保持恒定，

其中，所述Vgs减去布置是指所述跟踪电压等于所述翻转栅极晶体管的Vgs电压减去所述第一晶体管的Vgs电压。

12.根据权利要求11所述的基准电流源，其中，所述控制电阻器的电阻具有负温度系数。

13.根据权利要求11所述的基准电流源，其中，所述控制电阻器的电阻具有正温度系数。