[发明专利]一种反应烧结制备氮化硅坩埚的方法有效
| 申请号: | 201510096239.8 | 申请日: | 2015-03-04 |
| 公开(公告)号: | CN104744047B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
| 发明(设计)人: | 郭大为;吕东;宋丽岑;徐晨友 | 申请(专利权)人: | 烟台同立高科新材料股份有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人: | 王澎 |
| 地址: | 265500 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 反应 烧结 制备 氮化 坩埚 方法 | ||
1.一种反应烧结制备氮化硅坩埚的方法,其特征在于,包括:
1)将硅粉、粘结剂和溶剂加入到球磨机中,在80~120r/min的条件下球磨湿混15~30小时,混合均匀后,得浆料,其中,所述粘结剂添加量为硅粉重量的0.1%~0.3%,所述溶剂添加量为硅粉重量的1~2倍,
或将硅粉、氮化硅粉、粘结剂和溶剂加入到球磨机中,在80~120r/min的条件下球磨湿混15~30小时,混合均匀后,得浆料,其中,所述氮化硅粉添加量占硅粉与氮化硅粉总重量的10%~40%,所述粘结剂添加量为硅粉与氮化硅粉总重量的0.1%~0.3%,所述溶剂添加量为硅粉与氮化硅粉总重量的1~2倍,
2)将1)制备的浆料放入干燥箱内烘干,得粉体,将粉体过120目筛,取筛下物;
3)将2)所得筛下物均匀地洒在氮化硅坩埚模具的型腔内,压制成生坯;
4)将3)所得生坯升温至550~650℃,干燥排胶;
5)将干燥排胶后的生坯放在石墨坩埚中,将石墨坩埚放入气压烧结炉内,进行反应烧结,并升温至1250~1400℃,待反应烧结结束后,降温到100~150℃出炉,即得氮化硅坩埚。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在1)中,所述硅粉的纯度≥99.9%,粒径分布在0.1~50μm;所述氮化硅粉为α-Si3N4,纯度≥99.9%,粒径分布在0.1~50μm。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,在1)中,所述粘结剂为聚合度300~3000的聚乙烯醇或羧甲基纤维素,所述溶剂为水和体积分数≥95%的乙醇按体积比2:1组成的混合物。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在3)中,所述氮化硅坩埚模具的尺寸为:圆形氮化硅坩埚的直径20~1000mm、高度20~1000mm、厚度2~30mm;方形氮化硅坩埚的长度20~1000mm、高度20~1000mm、厚度2~30mm。
5.根据权利要求1或4所述的方法,其特征在于,在3)中,所述压制成生坯采用机压或等静压成型。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在5)中,在气压烧结炉内温度升至400℃的过程中,向气压烧结炉中充入高纯氮气;
当气压烧结炉内温度升至400<T<900℃时,抽真空为-1MPa,随后充入体积比为20:1的高纯氮气和高纯氢气的混合气体,重复此步骤3次;
当气压烧结炉内温度升至900≤T<1100℃时,继续通入体积比为20:1的高纯氮气和高纯氢气的混合气体,不换气;
当气压烧结炉内温度升至1100≤T<1250℃时,按反应速度充入体积比为6:3:1的高纯氮气、高纯氢气和高纯氩气的混合气体,将气压烧结炉内压力控制在1.0~1.5Mpa,此过程不换气;
当气压烧结炉内温度升至1250≤T<1400℃时,继续按体积比6:3:1通入高纯氮气、高纯氢气和高纯氩气的混合气体,保温10~30小时,并每2小时换气一次。
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