[发明专利]一种镧离子取代钕离子以改善微波介电特性的铌酸钕陶瓷

权利要求书

1.一种镧离子取代钕离子以改善微波介电特性的铌酸钕陶瓷，其组成为(Nd_1-xLa_x)NbO₄，其中，摩尔数x为0<x≤0.1；

上述铌酸钕陶瓷的制备方法，具有以下步骤：

(1)将Nd₂O₃、La₂O₃、Nb₂O₅原料，按化学式(Nd_1-xLa_x)NbO₄，其中0<x≤0.1进行配料；按原料：去离子水：磨球＝1：16：15的比例加入聚酯罐中，在球磨机上球磨6～12小时后，将原料置于干燥箱中于80～130℃烘干，烘干后过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；

(2)将步骤(1)混合均匀的粉料在900～1000℃煅烧4小时；

(3)将步骤(2)煅烧后的陶瓷粉料放入聚酯罐中，加入去离子水和氧化锆球后，在球磨机上球磨6-12小时；在烘干后在陶瓷粉料中外加重量百分比为6～8％的石蜡作为粘合剂进行造粒，过80目筛，再用粉末压片机成型为坯体；

(4)将步骤(3)的坯体于1225～1300℃烧结，保温2～5小时，制得铌酸钕陶瓷。

(5)测试微波介质陶瓷的微波介电性能。

2.根据权利要求1的一种镧离子取代钕离子以改善微波介电特性的铌酸钕陶瓷，其特征在于，所述步骤(1)的Nd₂O₃、La₂O₃、Nb₂O₅原料的纯度大于99.9％。

3.根据权利要求1的一种镧离子取代钕离子以改善微波介电特性的铌酸钕陶瓷，其特征在于，所述步骤(2)预烧温度为900℃。

4.根据权利要求1的一种镧离子取代钕离子以改善微波介电特性的铌酸钕陶瓷，其特征在于，所述步骤(1)的化学式(Nd_1-xLa_x)NbO₄，其中x＝0.05。

5.根据权利要求1的一种镧离子取代钕离子以改善微波介电特性的铌酸钕陶瓷，其特征在于，所述步骤(4)的烧结温度为1250℃，保温4小时。