[发明专利]一种利用强光辐照降低P型晶体硅太阳能电池及其组件光致衰减的方法

权利要求书

1.一种利用强光辐照降低P型晶体硅太阳能电池及其组件光致衰减的方法，其特征是：对P型晶体硅太阳能电池成品或半成品，或在开路状态下的P型晶体硅太阳能电池组件成品或半成品，用辐射强度为5~10kW/m²的强光照射1~3分钟；

用辐射强度为5~10kW/m²的强光照射1~3分钟的过程中，对P型晶体硅太阳能电池成品或半成品，或在开路状态下的P型晶体硅太阳能电池组件成品或半成品进行散热处理，使其温度保持在140~200℃；

对P型晶体硅太阳能电池成品或半成品，或在开路状态下的P型晶体硅太阳能电池组件成品或半成品进行散热处理时通入氮气，使其在强光照射下时处于氮气保护气氛中，以防止其金属电极氧化。

2.根据权利要求1所述的利用强光辐照降低P型晶体硅太阳能电池及其组件光致衰减的方法，其特征是：所述强光的光子能量分布能够在硅基体中激发出光生载流子，其中至少80%的辐射强度来自分布在285~1200 nm光谱范围内的光子。

3.根据权利要求2所述的利用强光辐照降低P型晶体硅太阳能电池及其组件光致衰减的方法，其特征是：所述的强光光源为卤素灯光源。

4.根据权利要求3所述的利用强光辐照降低P型晶体硅太阳能电池及其组件光致衰减的方法，其特征是：对P型晶体硅太阳能电池成品或半成品，在烘干阶段，烘干设备的加热方式为采用卤素灯光源进行加热。

5.根据权利要求3所述的利用强光辐照降低P型晶体硅太阳能电池及其组件光致衰减的方法，其特征是：在开路状态下的P型晶体硅太阳能电池组件半成品，在层压阶段，层压设备的至少一个加热板的加热方式为采用卤素灯光源进行加热。

6.根据权利要求2所述的利用强光辐照降低P型晶体硅太阳能电池及其组件光致衰减的方法，其特征是：所述的P型晶体硅太阳能电池由P型单晶硅、P型多晶硅或P型类单晶硅制成。